爱思开海力士有限公司韩在贤获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利包括阻变层的半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114447219B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111174634.5，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权包括阻变层的半导体器件及其制造方法是由韩在贤设计研发完成，并于2021-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括阻变层的半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种包括阻变层的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底和设置在衬底上方的栅极结构。栅极结构包括交替叠置在衬底上方的至少一个栅电极层和至少一个层间绝缘层。该半导体器件包括在衬底上方的穿透栅极结构的孔图案，以及在孔图案内顺序地设置在栅极结构的侧壁表面上的栅极绝缘层、通道层、电阻器层和阻变层。电阻器层和阻变层中的每个基于通道层与栅极绝缘层相对地设置。
本发明授权包括阻变层的半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底； 设置在所述衬底上方的栅极结构，所述栅极结构包括交替叠置在所述衬底上方的至少一个栅电极层和至少一个层间绝缘层； 孔图案，所述孔图案在所述衬底上方穿透所述栅极结构；以及 栅极绝缘层、通道层、电阻器层和阻变层，所述栅极绝缘层、所述通道层、所述电阻器层和所述阻变层在所述孔图案内顺序地设置在所述栅极结构的侧壁表面上， 其中，所述电阻器层和所述阻变层中的每个均基于所述通道层与所述栅极绝缘层相对地设置， 其中，所述电阻器层具有不变的电阻率，其包括具有预定电阻的氧化物材料，以及 其中，所述阻变层包括具有氧空位的金属氧化物，且所述氧空位在电场下能移动。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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