买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利射频高电子迁移率晶体管制作方法、晶体管及电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496753B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111682889.2，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权射频高电子迁移率晶体管制作方法、晶体管及电子器件是由许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本射频高电子迁移率晶体管制作方法、晶体管及电子器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种射频高电子迁移率晶体管制作方法、晶体管及电子器件，其中，射频高电子迁移率晶体管制作方法，衬底上光刻和刻蚀形成硬介质阻挡层结构，硬介质阻挡层结构两侧暴露出源极接触区和漏极接触区，硬介质阻挡层结构用于确定栅极区域，由于硬介质阻挡层结构的存在使得后续的N型掺杂注入和沉积第一金属层可以实现了自对准的效果，以此减少了对准次数；第二介质层的侧面形成的凹槽结构，用于通过湿法剥离快速的将第二介质层和第三介质层及其上沉积的第一金属层进行剥离，以此使得栅极区域到源漏极区域的可以保持充分的间隔距离，大大的减小了对准误差以及源漏极的接入电阻，最终提高射频高电子迁移率晶体管的射频性能的技术效果。

本发明授权射频高电子迁移率晶体管制作方法、晶体管及电子器件在权利要求书中公布了：1.一种射频高电子迁移率晶体管制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 在衬底上依次沉积第一介质层、第二介质层及第三介质层； 对所述第一介质层、第二介质层及第三介质层进行光刻和刻蚀形成硬介质阻挡层结构，同时在硬介质阻挡层结构两侧暴露出源极接触区和漏极接触区； 在所述源极接触区和漏极接触区进行N型掺杂注入； 对所述源极接触区和漏极接触区的N型掺杂进行高温激活； 对所述硬介质阻挡层结构中的第二介质层进行湿法刻蚀，使所述第二介质层的侧面形成凹槽结构； 沉积第一金属层；使得源极接触区和漏极接触区形成的金属接触区域与N型掺杂的区域形成自对准，且所述硬介质阻挡层结构中的第二介质层侧面无金属沉积； 通过湿法剥离所述第二介质层和所述第三介质层及其上沉积的第一金属层； 沉积第四介质层； 对所述第四介质层进行光刻和刻蚀形成栅极窗口； 沉积第五介质层； 对所述第五介质层进行干法刻蚀将所述栅极窗口延伸至所述衬底； 在所述栅极窗口的位置处形成栅极接触层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市汇芯通信技术有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市福田区华富街道莲花一村社区皇岗路5001号深业上城(南区)T2栋2701；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。