北京北方华创微电子装备有限公司张月获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496770B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210112473.5，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权半导体工艺方法、半导体器件是由张月设计研发完成，并于2022-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体工艺方法，包括：在半导体外延片的顶面上制作图形化的硬掩膜层；向半导体外延片的上方通入不与半导体外延片和硬掩膜层发生化学反应的第一工艺气体，并电离第一工艺气体形成第一等离子体，以将半导体外延片加热至高于预设温度；向半导体外延片的上方通入刻蚀工艺气体，并电离刻蚀工艺气体形成第二等离子体，以利用第二等离子体对半导体包覆层进行刻蚀。在本发明中，刻蚀工艺开始前通过第一工艺气体电离形成的第一等离子体对晶圆的表面进行加热，使晶圆的温度高于预设温度，从而利用现有的常规下电极等硬件结构即可保证氯化铟等刻蚀副产物的正常挥发，在降低硬件需求的同时保证了膜层刻蚀效果。本发明还提供一种半导体器件。
本发明授权半导体工艺方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺方法，其特征在于，所述方法包括： 掩膜形成步骤，在半导体外延片的顶面上制作图形化的硬掩膜层，所述半导体外延片的顶层为半导体包覆层； 预热步骤，向所述半导体外延片的上方通入不与所述半导体外延片和所述硬掩膜层发生化学反应的第一工艺气体，并电离所述第一工艺气体形成第一等离子体，以利用所述第一等离子体将所述半导体外延片加热至高于预设温度； 刻蚀步骤，向所述半导体外延片的上方通入刻蚀工艺气体，并电离所述刻蚀工艺气体形成第二等离子体，以利用所述第二等离子体对所述半导体包覆层进行刻蚀，所述刻蚀工艺气体包括化学刻蚀气体、物理刻蚀气体和导热气体； 其中，所述预设温度不低于所述刻蚀步骤产生的副产物的挥发温度。
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