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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种发光二极管及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551665B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210092993.4，技术领域涉及：H10H20/833；该发明授权一种发光二极管及制作方法是由李良迁;杨琦;贾钊;胡加辉;金从龙;顾伟设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光二极管及制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种发光二极管及制作方法，发光二极管包括包括外延层衬底、外延层、薄膜层和蓝宝石衬底，所述外延层外延生长在所述外延层衬底上，所述薄膜层沉积于所述外延层上，所述蓝宝石衬底贴合于所述薄膜层上，其中，所述薄膜层包括ITO薄膜和金属薄膜，所述ITO薄膜沉积于所述外延层上，所述金属薄膜中至少包括两种不相同的金属层，所述金属层依次沉积于所述ITO薄膜上，所述蓝宝石衬底上附着有所述金属薄膜中远离所述ITO薄膜一端相同金属材料的所述金属层，所述蓝宝石衬底上附着有所述金属层的一侧贴合于所述金属薄膜上。通过本发明可以有效解决了氧化物键合层与蓝宝石之间较难形成键合以及键合后结合力弱的问题。

本发明授权一种发光二极管及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括外延层衬底、外延层、薄膜层和蓝宝石衬底，所述外延层外延生长在所述外延层衬底上，所述薄膜层沉积于所述外延层上，所述蓝宝石衬底贴合于所述薄膜层上，其中，所述薄膜层包括ITO薄膜和金属薄膜，所述ITO薄膜沉积于所述外延层上，所述金属薄膜中至少包括两种不相同的金属层，所述金属层依次沉积于所述ITO薄膜上，所述蓝宝石衬底上附着有所述金属薄膜中远离所述ITO薄膜一端相同金属材料的所述金属层，所述蓝宝石衬底上附着有所述金属层的一侧贴合于所述金属薄膜上； 所述ITO薄膜为In2O3与SnO2的混合物，所述In2O3为所述ITO薄膜组分的95%，所述SnO2为所述ITO薄膜组分的5%； 金属薄膜包括Ni、Cu和Ag，其中，Ni、Cu和Ag依次沉积于ITO薄膜上，Ni占金属薄膜组分的8%～10%，Cu占金属薄膜组分的18%～20%，Ag占金属薄膜组分的70%～74%，所述金属薄膜的厚度不超过15nm； 在蓝宝石衬底上蒸镀Ag层，该蒸镀方式采用EB电子束蒸发的方式进行冷蒸，另外，通过高温高压的方式将蒸镀上NiCuAg的外延层和蒸镀上Ag层蓝宝石衬底贴合到一起。

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