美光科技公司S·S·巴苏塔获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于存储器系统的印迹恢复管理获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114556479B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080071562.9，技术领域涉及：G11C11/22；该发明授权用于存储器系统的印迹恢复管理是由S·S·巴苏塔;S·班加洛尔·拉克什曼;J·D·哈玛斯;J·J·斯特兰德设计研发完成，并于2020-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于存储器系统的印迹恢复管理在说明书摘要公布了：本申请案针对于用于存储器系统的印迹恢复管理。在一些情况下，存储器单元可变得被压印，压印可以指其中单元变得倾向于存储一个逻辑状态而不是另一逻辑状态，不易被写入不同的逻辑状态或这两种情况均存在的各种状况。可使用恢复或修复过程恢复经压印存储器单元，可根据各种条件、检测或推断发起所述恢复或修复过程。在一些实例中，系统可被配置成执行根据印迹的所表征严重性、操作模式、环境条件和其它因素进行调整或选择的印迹恢复操作。印迹管理技术能够提高存储器系统或其组件在存在与存储器单元压印相关联的条件的情况下能够进行操作的稳健性、准确性或效率。
本发明授权用于存储器系统的印迹恢复管理在权利要求书中公布了：1.一种用于操作存储器设备的方法，其包括： 确定包含在存储器装置中的一组存储器单元经压印于相应第一逻辑状态中； 向与所述存储器装置耦合的主机装置指示所述一组存储器单元经压印于所述相应第一逻辑状态中； 从所述主机装置接收对在所述一组存储器单元上执行印迹恢复程序的批准，所述印迹恢复程序提高所述一组存储器单元在存储所述相应第一逻辑状态与存储相应第二逻辑状态之间切换的能力； 至少部分地基于从所述主机装置接收到所述批准，对所述一组存储器单元执行所述印迹恢复程序； 从所述主机装置接收对暂停所述印迹恢复程序的指示；和 至少部分地基于所述暂停指示而暂停所述印迹恢复程序。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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