株式会社国际电气西浦进获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利半导体器件的制造方法、衬底处理装置、衬底处理方法及记录介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114556530B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080072930.1，技术领域涉及：H10P14/24；该发明授权半导体器件的制造方法、衬底处理装置、衬底处理方法及记录介质是由西浦进;清水英人;猪岛香织设计研发完成，并于2020-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法、衬底处理装置、衬底处理方法及记录介质在说明书摘要公布了：本发明包括a向配置于处理室的衬底供给处理气体而对衬底进行处理的工序、和b向处理室供给清洁气体而将附着于处理室内的部件的沉积物除去的工序，使从b的执行完成时至第n+1次进行的a的执行开始时为止的期间T2短于从第n次进行的a完成时至b开始执行时为止的期间T1。
本发明授权半导体器件的制造方法、衬底处理装置、衬底处理方法及记录介质在权利要求书中公布了：1.半导体器件的制造方法，其包括： a向配置于处理室的衬底供给处理气体而对所述衬底进行处理的工序；和， b在所述处理室没有所述衬底的状态下向所述处理室供给清洁气体而将附着于所述处理室内的部件的沉积物除去的工序， 使从在应开始第n+1次所述a的情况下进行的所述b的执行完成时至所述a的执行开始时为止的期间T2短于从第n次进行的所述a的完成时至在应开始第n+1次所述a的情况下进行的所述b的执行开始时为止的期间T1，而使在应开始第n+1次所述a的情况下所述a执行时的所述处理室的温度稳定的工序，n为1以上的整数。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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