江西兆驰半导体有限公司程龙获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种发光二极管外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566576B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210191723.9，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种发光二极管外延片及其制备方法是由程龙;曾家明;印从飞;刘春杨;胡加辉设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，涉及发光二极管技术领域，该发光二极管外延片包括衬底；在衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、缺陷阻挡层、N型GaN层、发光层、电子阻挡层、P型GaN层及接触层；其中，缺陷阻挡层依次包括第一缺陷阻挡层、第二缺陷阻挡层及第三缺陷阻挡层，第一缺陷阻挡层为AlaGa1‑aN薄膜层，第二缺陷阻挡层为BN薄膜层，第三缺陷阻挡层为AlaGa1‑aN薄膜层。本发明能够解决现有技术中衬底与外延层晶格失配较大，造成外延层位错密度提高，影响发光二极管外延片发光效率及光电性能的技术问题。
本发明授权一种发光二极管外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括： 衬底； 在所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、缺陷阻挡层、N型GaN层、发光层、电子阻挡层、P型GaN层及接触层； 其中，所述缺陷阻挡层依次包括第一缺陷阻挡层、第二缺陷阻挡层及第三缺陷阻挡层，所述第一缺陷阻挡层为AlaGa1-aN薄膜层，所述第二缺陷阻挡层为BN薄膜层，所述第三缺陷阻挡层为AlaGa1-aN薄膜层，所述第一缺陷阻挡层与所述第三缺陷阻挡层的Al组分浓度相同，Al组分占比a为0.005-0.1，所述缺陷阻挡层的厚度为10-50nm，第一缺陷阻挡层、第二缺陷阻挡层及第三缺陷阻挡层的厚度比为1：1：1-1：10：1。
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