台湾积体电路制造股份有限公司许倍诚获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利网络型薄膜膜及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114609859B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210107786.1，技术领域涉及：G03F1/62；该发明授权网络型薄膜膜及其形成方法是由许倍诚;连大成;李信昌设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本网络型薄膜膜及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及网络型薄膜膜及其形成方法。提供了一种用于保护光掩模免受污染物颗粒影响的薄膜。该薄膜包括含有至少一个多孔膜的薄膜膜。至少一个多孔膜包括多个纳米管的网络。多个纳米管中的至少一个纳米管包括核纳米管和围绕核纳米管的壳纳米管。核纳米管包括不同于壳纳米管的材料。薄膜还包括沿着薄膜膜的外围区域附接到薄膜膜的薄膜边界以及附接到薄膜边界的薄膜框架。
本发明授权网络型薄膜膜及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜，包括： 薄膜膜，包括至少一个多孔膜，所述至少一个多孔膜包括多个纳米管的网络，所述多个纳米管中的至少一个纳米管包括核纳米管和围绕所述核纳米管的壳纳米管，其中，所述核纳米管包括碳纳米管或多个碳纳米管的束，并且其中所述壳纳米管包括从由以下项组成的组中选择的化合物：碳氮化硼、硼氮化硅、以及硼碳化硅； 薄膜边界，沿着所述薄膜膜的外围区域附接到所述薄膜膜；以及 薄膜框架，附接到所述薄膜边界。
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