索尼半导体解决方案公司中村良助获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利固态成像装置和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114631187B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080075170.X，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权固态成像装置和电子设备是由中村良助设计研发完成，并于2020-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本固态成像装置和电子设备在说明书摘要公布了：本公开的固态成像装置包括：具有垂直栅电极的传输晶体管；和元件分离部，所述元件分离部的至少一部分隔着半导体层与所述垂直栅电极分开地配置，所述半导体层具有高的第一导电类型的杂质浓度，并且所述元件分离部由氧化膜绝缘体构成。
本发明授权固态成像装置和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种固态成像装置，包括 半导体基板，所述半导体基板包括光接收面和与所述光接收面相对配置的多个像素，其中， 每个所述像素包括 光电转换部，所述光电转换部对经由所述光接收面入射的光执行光电转换， 电荷保持部，所述电荷保持部在所述半导体基板中的第一导电类型的半导体区域内作为与第一导电类型不同的第二导电类型的半导体区域而形成，并且保持从所述光电转换部传输的电荷， 传输晶体管，所述传输晶体管包括垂直栅电极和与所述垂直栅电极接触的栅极绝缘膜，所述垂直栅电极到达所述光电转换部，所述栅极绝缘膜形成在所述半导体基板的与所述光接收面相对的表面上，所述传输晶体管将电荷从所述光电转换部传输到所述电荷保持部， 元件分离部，所述元件分离部靠近所述半导体基板的与所述光接收面相对的表面形成，并且包含氧化膜绝缘体，和 半导体层，所述半导体层与所述元件分离部的侧面和底面接触，设置在所述第一导电类型的半导体区域与所述栅极绝缘膜之间的层内且形成为与所述第一导电类型的半导体区域和所述栅极绝缘膜接触，并且具有高于所述第一导电类型的半导体区域的杂质浓度的第一导电类型的杂质浓度，其中 所述元件分离部的至少一部分隔着所述半导体层的接触所述栅极绝缘膜的部分与所述垂直栅电极分开地配置，和 从所述半导体基板的法线方向观察时，所述半导体层从所述元件分离部的侧面和底面延伸到与所述垂直栅电极的上端部重叠的位置。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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