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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678421B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011553818.8，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由邓武锋设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底上具有伪栅极结构；在伪栅极结构侧壁表面形成侧墙结构，侧墙结构包括第一侧墙、第二侧墙以及位于第一侧墙和第二侧墙之间的牺牲侧墙，且第一侧墙位于伪栅极结构侧壁表面；在基底上形成第一介质层，且第一介质层位于所述侧墙结构侧壁表面；形成所述侧墙结构之后，去除所述伪栅极结构，在所述第一介质层内形成伪栅开口；在所述伪栅开口内形成栅极结构；在所述第一介质层内形成插塞开口以及位于所述插塞开口内的源漏插塞，且所述插塞开口暴露出第二侧墙侧壁表面；形成所述源漏插塞之后，去除所述牺牲侧墙，在所述第一侧墙和第二侧墙之间形成空腔。所述方法形成的半导体结构的性能较好。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上具有伪栅极结构；所述基底包括：衬底和位于衬底上的鳍部； 在所述伪栅极结构侧壁表面形成侧墙结构，所述侧墙结构包括第一侧墙、第二侧墙以及位于所述第一侧墙和第二侧墙之间的牺牲侧墙，且所述第一侧墙位于所述伪栅极结构侧壁表面； 在所述基底上形成第一介质层，且所述第一介质层位于所述侧墙结构侧壁表面； 形成所述侧墙结构之后，去除所述伪栅极结构，在所述第一介质层内形成伪栅开口； 在所述伪栅开口内形成栅极结构； 在所述第一介质层内形成插塞开口以及位于所述插塞开口内的源漏插塞，且所述插塞开口暴露出第二侧墙侧壁表面，所述源漏插塞与所述第二侧墙侧壁表面相接触； 形成所述源漏插塞之后，去除所述牺牲侧墙，在所述第一侧墙和第二侧墙之间形成空腔； 所述侧墙结构的形成方法包括：在所述伪栅极结构顶部表面和侧壁表面、以及基底表面形成第一侧墙材料层；在所述第一侧墙材料层侧壁表面形成牺牲材料层，所述牺牲材料层的底部表面与所述第一侧墙材料层的顶部表面接触；在所述牺牲材料层表面和第一侧墙材料层暴露出的表面形成第二侧墙材料层；回刻蚀所述第一侧墙材料层、牺牲材料层以及第二侧墙材料层，直至暴露出伪栅极结构顶部表面，使所述第一侧墙材料层形成所述第一侧墙，使所述牺牲材料层形成所述牺牲侧墙，使所述第二侧墙材料层形成第二侧墙； 形成所述第一侧墙材料层之后，形成所述牺牲材料层之前，在所述伪栅极结构两侧的基底内形成源漏掺杂区；所述源漏掺杂区的形成方法包括：去除所述伪栅极结构两侧的基底表面以及伪栅极结构顶部表面的第一侧墙材料层，在所述基底内形成源漏掺杂开口；在所述源漏掺杂开口内形成源漏掺杂区；形成源漏掺杂区之后，在所述源漏掺杂区表面和所述伪栅极结构表面形成补充侧墙材料层，所述补充侧墙材料层和位于栅极结构侧壁表面的第一侧墙材料层共同作为后续制程的第一侧墙材料层； 所述第一侧墙覆盖所述栅极结构侧壁表面以及覆盖所述源漏掺杂区的部分表面，所述空腔的侧壁表面与覆盖所述栅极结构侧壁表面的第一侧墙表面接触，所述空腔的底部表面与覆盖所述源漏掺杂区的第一侧墙的顶部表面接触；所述第二侧墙与所述空腔的侧壁表面接触，所述第二侧墙的底部表面与覆盖所述源漏掺杂区的第一侧墙的顶部表面接触。

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