罗门哈斯电子材料有限责任公司羽贺满获国家专利权
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龙图腾网获悉罗门哈斯电子材料有限责任公司申请的专利光致抗蚀剂组合物及图案形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114690557B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111682535.8，技术领域涉及：G03F7/004；该发明授权光致抗蚀剂组合物及图案形成方法是由羽贺满;李明琦设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本光致抗蚀剂组合物及图案形成方法在说明书摘要公布了：本文公开一种图案形成方法，该方法包括：a在半导体基底上施加光致抗蚀剂组合物层，b以图案化的方式使该光致抗蚀剂组合物层曝光于i线辐射；以及c使该曝光的光致抗蚀剂组合物层显影以提供抗蚀剂浮雕图像；其中该光致抗蚀剂组合物包含非离子型光酸产生剂；溶剂；第一聚合物和第二聚合物；并且其中该第一聚合物包含聚合物染料。
本发明授权光致抗蚀剂组合物及图案形成方法在权利要求书中公布了：1.一种图案形成方法，所述方法包括： 在基底上施加光致抗蚀剂组合物层， 以图案化的方式使所述光致抗蚀剂组合物层曝光于i线辐射；以及 使所述曝光的光致抗蚀剂组合物层显影以提供抗蚀剂浮雕图像， 其中所述光致抗蚀剂组合物层通过旋涂以单次施加的方式涂覆成1微米至50微米的厚度； 其中所述光致抗蚀剂组合物包含： 非离子型光酸产生剂； 溶剂； 第一聚合物，所述第一聚合物包含式1的第一聚合单元、式2的第二聚合单元、以及式3的第三聚合单元： 其中a是1至5的整数并且Z3是氢，Z和R5独立地选自氢原子、C1-C4烷基、C1-C4氟烷基或氰基；Z1是包含酸不稳定基团的非氢取代基，该酸不稳定基团的裂解在该聚合物上形成羧酸；L是取代或未取代的C1-C4亚烷基；Ar1是取代或未取代的蒽基团；其中基于该光致抗蚀剂组合物的总固体，该第一聚合物以0.1重量％至10重量％的量存在于该光致抗蚀剂组合物中；以及 第二聚合物，所述第二聚合物包含式4的第一聚合单元： 其中b是1至5的整数并且Z4是氢或具有1至5个碳原子的烷基；以及包含酸不稳定基团的单体的第二聚合单元；并且其中所述第二聚合物不含式3的聚合单元，基于所述光致抗蚀剂组合物的总固体，以10重量％至99重量％的量存在于所述光致抗蚀剂组合物中。
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