美光科技公司A·夏尔马获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利具有动态编程验证电平的存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114694721B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111622421.4，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权具有动态编程验证电平的存储器装置是由A·夏尔马设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有动态编程验证电平的存储器装置在说明书摘要公布了：本申请涉及具有动态编程验证电平的存储器装置。存储器装置可包含存储器单元阵列和配置成存取所述存储器单元阵列的控制器。所述控制器可感测选定存储器单元的第一阈值电压。响应于所述经感测第一阈值电压在第一预编程验证电平和第一编程验证电平之间，所述控制器可将所述选定存储器单元偏置用于SSPC编程。所述第一预编程验证电平可小于最终预编程验证电平，且所述第一编程验证电平可小于最终编程验证电平。响应于所述经感测第一阈值电压小于所述第一预编程验证电平，所述控制器可将所述选定存储器单元偏置用于非SSPC编程。响应于所述经感测第一阈值电压大于所述第一编程验证电平，所述控制器可禁止所述选定存储器单元进行编程。
本发明授权具有动态编程验证电平的存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其包括： 存储器单元阵列；以及 控制器，其配置成存取所述存储器单元阵列以将所述存储器单元阵列中的选定存储器单元编程到目标电平， 其中所述控制器进一步配置成： 感测所述选定存储器单元的第一阈值电压； 响应于经感测的所述第一阈值电压在第一预编程验证电平和第一编程验证电平之间，将所述选定存储器单元偏置用于选择性慢编程收敛SSPC编程，其中所述第一预编程验证电平小于最终预编程验证电平，且所述第一编程验证电平小于最终编程验证电平； 响应于经感测的所述第一阈值电压小于所述第一预编程验证电平，将所述选定存储器单元偏置用于非SSPC编程； 响应于经感测的所述第一阈值电压大于所述第一编程验证电平，禁止所述选定存储器单元进行编程；以及 将预定编程脉冲施加到所述选定存储器单元。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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