美光科技公司四方刚获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利包含对关联于存储器块的扩散区的电压控制的存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114694729B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111639768.X，技术领域涉及：G11C16/30；该发明授权包含对关联于存储器块的扩散区的电压控制的存储器装置是由四方刚;山田重和设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本包含对关联于存储器块的扩散区的电压控制的存储器装置在说明书摘要公布了：本申请涉及包含对关联于存储器块的扩散区的电压控制的存储器装置。一些实施例包含设备和操作所述设备的方法。所述设备中的一个包含：第一存储器块，其包含用于所述第一存储器块的相应第一存储器单元的第一控制栅极；第二存储器块，其包含用于所述第二存储器块的相应第二存储器单元的第二控制栅极；第一扩散区，其耦合到所述第一控制栅极；第二扩散区，其邻近所述第一扩散区，所述第二扩散区耦合到所述第二控制栅极；和电路，其用以在对所述第一存储器块进行的写入操作中将电压施加到所述第二扩散区。
本发明授权包含对关联于存储器块的扩散区的电压控制的存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种设备，其包括： 第一存储器块，其包含用于相应第一存储器单元的第一字线； 第二存储器块，其包含用于相应第二存储器单元的第二字线； 第一晶体管，其共享第一栅极，所述第一晶体管包含分别耦合到所述第一字线的第一扩散区； 第二晶体管，其共享第二栅极，所述第二晶体管包含分别耦合到所述第二字线的第二扩散区，所述第二扩散区邻近所述第一扩散区； 电路，其用以在将信息存储于所述第一存储器单元中的写入操作中的时间间隔内将所述第二栅极耦合到第一电压，且在所述时间间隔之后将所述第二栅极从所述第一电压解耦；以及 额外电路，其用以在所述写入操作中将所述第一栅极耦合到第二电压，其中所述电路配置成在所述第一栅极耦合到所述第二电压之前将所述第二栅极耦合到所述第一电压。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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