中国科学院微电子研究所张芯瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种碳纳米管场效应管器件的建模方法及建模装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114707455B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210360697.8，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种碳纳米管场效应管器件的建模方法及建模装置是由张芯瑞;陈岚;刘宏伟设计研发完成，并于2022-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳纳米管场效应管器件的建模方法及建模装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种碳纳米管场效应管器件的建模方法及建模装置，建立碳纳米管场效应管器件的等效电路模型；等效电路模型包括多个电学元件；根据碳纳米管场效应管器件的物理结构参数，通过量子散射仿真系统对碳纳米管场效应管器件进行仿真，得到电学特性；根据电学特性对等效电路模型中多个电学元件进行优化。可见，利用量子散射仿真系统对碳纳米管场效应管器件进行仿真，以得到体现电学特性的仿真数据，根据物理模拟仿真数据对等效电路模型中的电学元件进行优化，使得等效电路模型与碳纳米管场效应管器件的电学特性更加匹配，提高等效电路模型的准确性。
本发明授权一种碳纳米管场效应管器件的建模方法及建模装置在权利要求书中公布了：1.一种碳纳米管场效应管器件的建模方法，其特征在于，包括： 建立碳纳米管场效应管器件的等效电路模型；所述等效电路模型包括多个电学元件； 根据所述碳纳米管场效应管器件的物理结构参数，通过量子散射仿真系统对所述碳纳米管场效应管器件进行仿真，得到电学特性； 根据所述电学特性对所述等效电路模型中多个电学元件进行优化； 所述根据所述碳纳米管场效应管器件的物理结构参数，通过量子散射仿真系统对所述碳纳米管场效应管器件进行仿真，得到电学特性，包括： 根据所述碳纳米管场效应管器件的物理结构参数，利用半经典弹道输运方法获得第一电荷密度； 根据所述第一电荷密度通过泊松方程得到第一电势分布； 根据所述第一电势分布获得包括声子散射自能的第一延迟格林函数，以通过所述第一延迟格林函数获得第二电荷密度；所述第一延迟格林函数满足收敛性； 根据所述第二电荷密度通过所述泊松方程得到第二电势分布； 根据所述第二电荷密度和所述第二电势分布得到电学特性。
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