台湾积体电路制造股份有限公司陈胜捷获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利具有复合电介质膜结构的半导体存储器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709218B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210157953.3，技术领域涉及：H10B41/41；该发明授权具有复合电介质膜结构的半导体存储器件及其形成方法是由陈胜捷;谢智仁;李铭伦;王伟民;刘铭棋设计研发完成，并于2022-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有复合电介质膜结构的半导体存储器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开总体涉及具有复合电介质膜结构的半导体存储器件及其形成方法。公开了一种半导体存储器件及其形成方法。半导体存储器件包括：衬底，包括存储区域和外围区域；晶体管，包括位于外围区域中的金属栅极；复合电介质膜结构，位于晶体管的金属栅极之上，复合电介质膜结构包括第一电介质层以及第一电介质层之上的第二电介质层，其中第二电介质层的密度大于第一电介质层的密度；以及至少一个存储单元，位于存储区域中。复合电介质膜结构为金属栅极提供增强的保护以防止蚀刻损坏，从而提高器件性能。
本发明授权具有复合电介质膜结构的半导体存储器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底，包括存储区域和外围区域； 晶体管，包括位于所述外围区域中的金属栅极； 复合电介质膜结构，位于所述晶体管的金属栅极之上，所述复合电介质膜结构包括第一电介质层以及所述第一电介质层之上的第二电介质层，并且所述第二电介质层的密度大于所述第一电介质层的密度；以及 至少一个存储单元，位于所述存储区域中； 其中，所述复合电介质膜结构的下表面与所述至少一个存储单元的上表面共面。
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