台湾积体电路制造股份有限公司朱为麟获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利改善光学近端校正技术的方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114721217B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011527229.2，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权改善光学近端校正技术的方法及系统是由朱为麟;唐诗皓;曾信纶;黄圣文;黄志仲设计研发完成，并于2020-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善光学近端校正技术的方法及系统在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及改善光学近端校正技术的方法及系统。本文公开一种改善布局的方法及系统。一种方法包括：接收设计布局；确定第一光学模型及光致抗蚀剂模型的光致抗蚀剂校正项目的第一子集合；根据所述第一光学模型及所述光致抗蚀剂模型的所述第一子集合进行模型式光学近端校正MOPC并更新所述设计布局得到第一更新设计布局；确定第二光学模型及所述光致抗蚀剂模型的所述光致抗蚀剂校正项目的第二子集合；根据所述第二光学模型及所述光致抗蚀剂模型的所述第二子集合进行MOPC并更新所述第一设计布局得到第二更新设计布局；及根据所述第二更新布局制造光掩模。
本发明授权改善光学近端校正技术的方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种改善布局的方法，其包括： 接收设计布局； 确定第一光学模型并确定光致抗蚀剂模型的光致抗蚀剂校正项目的第一子集合； 根据所述第一光学模型及所述光致抗蚀剂模型的所述第一子集合进行模型式光学近端校正MOPC并更新所述设计布局得到第一更新设计布局； 确定第二光学模型并确定所述光致抗蚀剂模型的所述光致抗蚀剂校正项目的第二子集合，其中所述第二光学模型与所述第一光学模型不同，或所述第二子集合与所述第一子集合不同； 根据所述第二光学模型及所述光致抗蚀剂模型的所述第二子集合进行MOPC并更新所述第一更新设计布局得到第二更新设计布局；及 根据所述第二更新设计布局制造光掩模。
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