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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种ESD保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725087B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210152254.X，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种ESD保护电路是由王源;申子龙;张兴设计研发完成，并于2022-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种ESD保护电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种ESD保护电路，属于集成电路芯片静电放电保护设计技术领域，包括：瞬态探测电路，其包括：第一PMOS管，与第一PMOS管连接的第一和第二NMOS管，与第一PMOS管栅极连接的第一分压元件，与第一分压元件串联的第一电容，与第一NMOS管源极连接的第二电容，与第二电容连接的电流镜电路；静态检测电路，用于根据ESD电压与触发电压间的关系决定是否导通；泄放电路，用于使得ESD电流泄放。用以解决采用现有技术中的ESD保护电路因容易出现闩锁、误触发现象，或者对ESD事件反应慢而造成的芯片内部电路不安全的缺陷，实现瞬态探测和静态检测的结合，有效避免出现闩锁、误触发现象，并保证了对ESD事件的反应速度足够快，进而保证了芯片内部电路的安全。

本发明授权一种ESD保护电路在权利要求书中公布了：1.一种ESD保护电路，其特征在于，包括：瞬态探测电路、静态检测电路和泄放电路； 所述瞬态探测电路，包括：第一PMOS管，与所述第一PMOS管连接的第一NMOS管，与所述第一PMOS管连接的第二NMOS管，与所述第一PMOS管的栅极连接的第一分压元件，与所述第一分压元件串联的第一电容，与所述第一NMOS管的源极连接的第二电容，以及与所述第二电容连接的电流镜电路； 静态检测电路，与所述瞬态探测电路连接，用于在所述第一PMOS管导通时，根据ESD电压与设定的触发电压间的关系，决定是否导通； 泄放电路，与所述静态检测电路连接，用于在所述静态检测电路导通时导通，使得ESD电流泄放； 所述第一PMOS管的源极与所述ESD保护电路的电源管脚连接，所述第一PMOS管的栅极与所述第一分压元件与所述第一电容连接的一端、第一NMOS管的漏极以及第二NMOS管的栅极分别连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极连接； 所述第一分压元件的另一端与所述ESD保护电路的电源管脚连接； 所述第一电容未与所述第一分压元件连接的一端，以及所述第二NMOS管的源极接地； 所述电流镜电路包括：第三NMOS管和第四NMOS管；所述第三NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的栅极连接； 所述第三NMOS管的栅极和漏极，以及所述第四NMOS管的栅极与所述第二电容未与所述第一NMOS管的源极连接的一端连接；所述第四NMOS管的漏极与所述第二电容与所述第一NMOS管的源极连接的一端连接；所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的源极接地。

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