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龙图腾网获悉深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利异质结双极型晶体管的外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725191B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210300216.4，技术领域涉及：H10D10/01；该发明授权异质结双极型晶体管的外延结构及其制备方法是由樊永辉;许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2022-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本异质结双极型晶体管的外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种异质结双极型晶体管的外延结构及其制备方法，该方法包括：在砷化镓GaAs衬底上外延形成n型惨杂的砷化铝镓AlGaAs发射层；在发射层上外延形成p型惨杂的砷化镓GaAs基极层；在基极层上外延形成n型惨杂的氮化镓GaN系材料的集电层。在HBT器件的实际应用中，由于采用GaN系材料作为集电层，可以使用较高的工作电压，从而有利于增加该HBT器件的输出功率，克服GaAsHBT器件的功率限制，以及更好地满足5G通信高频与高功率的需求。

本发明授权异质结双极型晶体管的外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结双极型晶体管的外延结构制备方法，其特征在于，包括： 在砷化镓GaAs衬底上外延形成n型掺杂的砷化铝镓AlGaAs发射层； 在所述发射层上外延形成p型掺杂的砷化镓GaAs基极层； 在所述基极层上外延形成n型掺杂的氮化镓GaN系材料的集电层； 在所述集电层的上表面制备第一光刻胶，在所述第一光刻胶中制备集电极金属层，去除所述第一光刻胶以得到集电极，所述集电极处于所述集电层的上表面，在所述集电层的上表面和所述集电极上沉积第一钝化层； 在所述第一钝化层的上表面制备第二光刻胶，所述第二光刻胶覆盖所述集电极，以所述第二光刻胶为掩膜，刻蚀所述第一钝化层和所述集电层以露出所述基极层，去除所述第二光刻胶，在露出的所述基极层的上表面制备第三光刻胶，在所述第三光刻胶中制备基极金属层，去除所述第三光刻胶以得到基极，所述基极处于露出的所述基极层的上表面，在所述基极的上表面、所述第一钝化层的上表面、所述基极层上表面沉积第二钝化层； 在所述第二钝化层的上表面制备第四光刻胶，所述第四光刻胶覆盖所述基极，以所述第四光刻胶为掩膜，刻蚀所述第二钝化层和所述基极层以露出所述发射层，去除所述第四光刻胶，在露出的所述发射层的上表面制备第五光刻胶，在所述第五光刻胶中制备发射极金属层，去除所述第五光刻胶以得到发射极，所述发射极处于露出的所述发射层的上表面，在所述发射极的上表面、所述第二钝化层的上表面沉积第三钝化层； 在所述第三钝化层的上表面制备金属间介质层，在所述金属间介质层的上表面制备第四钝化层以得到异质结双极型晶体管器件。

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