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龙图腾网获悉深圳市优联半导体有限公司;华中科技大学申请的专利一种降低开关损耗的部分自举门极驱动电路及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114726191B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210404306.8，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权一种降低开关损耗的部分自举门极驱动电路及控制方法是由王智强;钱承;辛国庆;时晓洁设计研发完成，并于2022-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低开关损耗的部分自举门极驱动电路及控制方法在说明书摘要公布了：本发明属于门极驱动电路技术领域，公开了一种降低开关损耗的部分自举门极驱动电路及控制方法，所述可降低开关损耗的部分自举门极驱动电路包括开关器件、PWM、供电电源、信号隔离、非隔离驱动芯片、自举结构、驱动电阻、Mon和Moff。相比于电压源型驱动，本发明可显著提高开关速度并降低开关损耗；相比于电流源型驱动，本发明具有自适应的特点，不需要额外的时序控制，不存在过充电损耗开关器件的风险；相比于复杂的有源驱动，本发明具有结果简单、可靠性高的优势。本发明中使用自举结构，在不增加供电电源的前提下可以实现倍压输出，克服了宽禁带器件较大门极内部寄生电阻的限制，可显著降低开关损耗。

本发明授权一种降低开关损耗的部分自举门极驱动电路及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种降低开关损耗的部分自举门极驱动电路控制方法，其特征在于，所述降低开关损耗的部分自举门极驱动电路控制方法包括： 在驱动电路中，利用自举结构作为输出部分，使驱动电路在不使用额外电源下，在开关过程中输出两倍供电电压；通过控制电容的容值，在开关过程结束时，驱动电路输出电压自动降为电源供电电压； 所述自举结构由至少一个电容以及至少一个二极管构成，用来在输出暂态时将电源的电压进行倍压用于增加开关速度； 所述驱动电路为Rgint与Ciss串联构成的等效开关器件；15V隔离电源连接半桥驱动芯片Bon为其供电，Bon控制端接信号隔离模块，输出端分别连接由自举二极管Don与自举电容Con构成的自举电路、N型MOSFET开关Mon的门极，该自举电路还连接开通电阻Ron一端，Ron另一端接开关器件的g节点，Mon连接开关器件的s节点，自举二极管Don的阳极连接15V隔离电源的正电位，自举二极管Don的阴极连接开通电阻Ron一端和自举电容Con的一端，开通电阻Ron的另一端连接Rgint的一端，Rgint的另一端连接Ciss的一端，自举电容Con的另一端连接N型MOSFET开关Mon的栅极以及半桥驱动芯片Bon的输出端，N型MOSFET开关Mon的漏极连接Ciss的另一端以及P型MOSFET开关Moff的漏极，N型MOSFET开关Mon的源极连接15V隔离电源的负电位； -5V隔离电源连接半桥驱动芯片Boff为其供电，Boff控制端接信号隔离模块，输出端分别连接由自举二极管Doff与自举电容Coff构成的自举电路、P型MOSFET开关Moff的门极，该自举电路还连接关断电阻Roff一端，Roff另一端接开关器件的g节点，Moff连接开关器件的s节点，PWM信号接入信号隔离模块； 所述降低开关损耗的部分自举门极驱动电路控制方法具体包括以下步骤： 步骤一，在关断稳态时，PWM处于低电平，驱动芯片Bon与Boff输出为低电平输出，开关Mon被断开而Moff被导通； 步骤二，在开通动态时，PWM从低电平切换到高电平，驱动芯片Bon与Boff输出为高电平输出，开关Mon被导通而Moff被断开； 步骤三，在开通稳态时，PWM处于高电平，驱动芯片Bon与Boff输出为高电平输出，开关Mon被导通而Moff被断开； 步骤四，在关断动态时，PWM从高电平切换到低电平，驱动芯片Bon与Boff输出为低电平，Mon被关断而Moff被导通。

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