桑迪士克科技有限责任公司岩井高崎获国家专利权
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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利包括贯穿存储器层级通孔结构的三维存储器器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730763B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080081433.8，技术领域涉及：H10B41/27；该发明授权包括贯穿存储器层级通孔结构的三维存储器器件及其制造方法是由岩井高崎;大津良孝;时田博文;金泽纯平;大井久和;松冈博则;松野光一设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括贯穿存储器层级通孔结构的三维存储器器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种三维存储器器件，该三维存储器器件可包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠位于半导体材料层上方；存储器堆叠结构，该存储器堆叠结构竖直延伸穿过该至少一个交替堆叠；和介电板的竖直堆叠，该竖直堆叠与该至少一个交替堆叠的这些绝缘层的横向延伸部分交错。导电通孔结构可竖直延伸穿过每个介电板和这些绝缘层，并且可接触下面的金属互连结构。除此之外或另选地，支撑柱结构可竖直延伸穿过这些介电板的该竖直堆叠并进入穿过该半导体材料层的开口中，并且可接触嵌入有该下面的金属互连结构的较低层级介电材料层，以在制造期间增强对该三维存储器器件的结构支撑。
本发明授权包括贯穿存储器层级通孔结构的三维存储器器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括： 绝缘层和导电层的至少一个交替堆叠，所述至少一个交替堆叠位于下面的金属互连结构上方； 存储器堆叠结构，所述存储器堆叠结构竖直延伸穿过所述至少一个交替堆叠； 介电氧化物板的竖直堆叠，所述竖直堆叠与所述至少一个交替堆叠的所述绝缘层的横向延伸部分交错，其中每个介电氧化物板位于所述至少一个交替堆叠的一对相应竖直相邻的绝缘层之间；和 导电通孔结构，所述导电通孔结构竖直延伸穿过所述竖直堆叠内的每个介电氧化物板和所述至少一个交替堆叠的所述绝缘层的每个横向延伸部分，并且接触所述下面的金属互连结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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