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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种外延片制备方法、外延片以及紫外发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114759121B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210404150.3，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种外延片制备方法、外延片以及紫外发光二极管是由刘春杨;胡加辉;吕蒙普;金从龙设计研发完成，并于2022-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种外延片制备方法、外延片以及紫外发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种外延片制备方法、外延片以及紫外发光二极管，外延片制备方法包括：提供衬底；在衬底上依次层叠缓冲层和N型半导体层；在N型半导体层上依次交替层叠预设周期个量子阱层和量子垒层以形成多量子阱层；在最后一个量子垒层上依次层叠电子阻挡层以及P型半导体层；其中，在量子阱层上依次层叠的第一量子垒子层、第二量子垒子层、插入子层以及第三量子垒子层以形成量子垒层，量子阱层、第一量子垒子层、第二量子垒子层以及第三量子垒子层均为AlGaN层，插入子层为MgN层，第一量子垒子层和第三量子垒子层的Al组分含量均低于第二量子垒子层的Al组分含量。采用本发明，能够解决现有技术中的外延片内量子效率低的问题。

本发明授权一种外延片制备方法、外延片以及紫外发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种外延片制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底； 在所述衬底上依次层叠缓冲层和N型半导体层； 在所述N型半导体层上依次交替层叠预设周期个量子阱层和量子垒层以形成多量子阱层； 在最后一个所述量子垒层上依次层叠电子阻挡层以及P型半导体层；其中，在所述量子阱层上依次层叠的第一量子垒子层、第二量子垒子层、插入子层以及第三量子垒子层以形成所述量子垒层； 其中，所述量子阱层、第一量子垒子层、第二量子垒子层以及第三量子垒子层均为AlGaN层，所述插入子层为MgN层，所述第一量子垒子层和第三量子垒子层的Al组分含量均低于所述第二量子垒子层的Al组分含量； 在层叠所述量子垒层时，先通入MO源以在所述量子阱层上层叠所述第一量子垒子层，然后停止MO源的通入以在所述第一量子垒子层上层叠所述第二量子垒子层，接着通入Mg源以在所述第二量子垒子层上层叠所述插入子层，最后停止Mg源的通入并再次通入MO源以在所述插入子层上层叠所述第三量子垒子层。

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