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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种发光二极管外延片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114759123B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210516056.7，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种发光二极管外延片及其制作方法是由张彩霞;程金连;印从飞;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2022-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光二极管外延片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种发光二极管外延片及其制作方法，所述发光二极管外延片包括：衬底、以及在衬底上依次层叠的低温成核层、未掺杂的u‑GaN层、插入层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型电子阻挡层和P型GaN层；插入层包括在未掺杂的u‑GaN层上依次层叠的第一子层、第二子层及第三子层，第一子层为低温高压生长的MgxN层，第二子层包括周期性交替层叠的高压生长的GaN层和低压生长的AlyGa1‑yN层，第三子层为高温低压生长的AlzGa1‑zN层。本发明解决了现有外延片缺陷多及表面平整度下降的问题。

本发明授权一种发光二极管外延片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括： 衬底、以及在所述衬底上依次层叠的低温成核层、未掺杂的u-GaN层、插入层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型电子阻挡层和P型GaN层； 所述插入层包括在所述未掺杂的u-GaN层上依次层叠的第一子层、第二子层及第三子层，所述第一子层为低温高压生长的MgxN层，所述第二子层包括周期性交替层叠的高压生长的GaN层和低压生长的AlyGa1-yN层，所述第三子层为高温低压生长的AlzGa1-zN层； 在所述第一子层中，所述MgxN层中的x取值范围为：0.1≤x≤0.3，所述第一子层的厚度为3-10nm； 在所述第二子层中，所述AlyGa1-yN层中的y取值范围为：0.05≤y≤0.2，所述第二子层的总厚度为0.5-1um，所述第二子层中的GaN层和AlyGa1-yN层交替层叠的周期数为3-20； 在所述第三子层中，所述AlzGa1-zN层中的z取值范围为：0.1≤z≤0.3，所述第三子层的厚度为0.3-0.5um。

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