台湾积体电路制造股份有限公司吴昭谊获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成芯片以及操作相变存储器的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114765041B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210040037.1,技术领域涉及:G11C11/56;该发明授权集成芯片以及操作相变存储器的方法是由吴昭谊;柯文昇设计研发完成,并于2022-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成芯片以及操作相变存储器的方法在说明书摘要公布了:集成芯片具有布置在半导体衬底上方的存储器单元阵列和驱动器电路。驱动器电路向阵列提供读取电压,该读取电压关于存储器阵列的近似温度而变化,以改善读取电流中的温度相关性。驱动器电路可以以与温度成反比的方式改变读取电压。读取电压可以连续或逐步变化,并且驱动器电路可以使用表格查找。可选地,驱动器电路测量电流并调制读取电压,直到电流在目标范围内。存储器单元可以是多级相变存储器单元,其包括设置在底部电极和顶部电极之间的多个相变元件。调制读取电压以减少与温度有关的电流变化对于多级单元特别有用。
本发明授权集成芯片以及操作相变存储器的方法在权利要求书中公布了:1.一种集成芯片,包括: 半导体衬底; 电阻式随机存取存储器单元的阵列,形成在所述半导体衬底上方;以及 驱动器电路,被配置为向所述阵列中的所选择单元提供关于阵列的温度选择性变化的读取电压; 感测放大器,被构造为通过比较由所述驱动器电路驱动的读取电流与多个参考电流,以在所述所选择单元的四个或更多个不同的编程状态之间进行区分, 其中,所述多个参考电流的至少一个的大小随着所述阵列的温度而变化。
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