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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺设备及其工艺腔室获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114783909B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210345546.5，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权半导体工艺设备及其工艺腔室是由徐柯柯设计研发完成，并于2022-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体工艺设备及其工艺腔室在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其工艺腔室。该工艺腔室包括：工艺管、腔室组件及尾气装置；腔室组件设置于工艺管内，腔室组件的两端分别形成有传输口及尾气口；尾气装置设置于工艺管内，并且位于尾气口的一侧，尾气装置的壳体上开设有导入口及导出口，导入口与流体通道的一端连通，流体通道与竖直方向形成第一预设夹角，流体通道的另一端与缓冲腔连通，缓冲腔与导出口连通，导出口用于将缓冲腔内的尾气排出；止挡台阶设置于缓冲腔内的与流体通道的连接处，用于防止缓冲腔内的尾气倒流至流体通道内。本申请实施例能避免尾气及颗粒倒灌对晶圆造成污染，从而大幅提高外延工艺质量。

本发明授权半导体工艺设备及其工艺腔室在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺设备的工艺腔室，其特征在于，包括：工艺管、腔室组件及尾气装置； 所述腔室组件设置于所述工艺管内，所述腔室组件形成有用于容置晶圆的工艺腔，所述腔室组件的两端分别形成有传输口及尾气口，所述传输口用于向所述工艺腔内通入工艺气体，所述尾气口用于导出所述工艺腔内的尾气； 所述尾气装置设置于所述工艺管内，并且位于所述尾气口的一侧，所述尾气装置包括有壳体、流体通道、缓冲腔及止挡台阶，其中： 所述壳体上开设有导入口及导出口，并且所述导入口靠近所述尾气口设置，所述流体通道和所述缓冲腔形成于所述壳体的内部，所述导入口与所述流体通道的一端连通，所述导入口用于将所述尾气导流至所述流体通道内，所述流体通道与竖直方向形成第一预设夹角，所述流体通道的另一端与所述缓冲腔连通，所述缓冲腔与所述导出口连通，所述导出口用于将所述缓冲腔内的尾气排出；所述止挡台阶设置于所述缓冲腔内的与所述流体通道的连接处，用于防止所述缓冲腔内的尾气倒流至所述流体通道内，所述止挡台阶靠近所述导入口的侧面形成所述流体通道的一部分。

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