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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利计算器件以及计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114822638B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210073731.3，技术领域涉及：G11C11/54；该发明授权计算器件以及计算方法是由池育德;李嘉富;张琮永设计研发完成，并于2022-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本计算器件以及计算方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例涉及计算器件以及计算方法。在一些示例中，存储器中的计算器件包括在行和列中布置的二维存储器单元阵列，每个存储器单元由基于电流的九晶体管SRAM制成。每个存储器单元包括六晶体管SRAM单元和由开关晶体管耦合的电流源，其由输入线上的输入信号控制，与存储器单元所在的存储器单元的列相关联。电流源包括由六晶体管SRAM单元的状态控制的开关晶体管，以及电流调节晶体管，用于产生由栅极处施加的控制信号确定的电流水平。可以设置控制信号，使得存储器单元的每个连续列中的每个输出线中的总电流以因子2增加。

本发明授权计算器件以及计算方法在权利要求书中公布了：1.一种计算器件，包括： 存储器阵列，包括在存储器单元的行和列中分组的多个存储器单元，每个所述存储器单元包括用于储存数据的存储器单位、包括第一开关器件和电流发生器器件的电流源以及第二开关器件； 多个输入线，每个所述输入线连接到相应的行中的所述第二开关器件，并用于将输入信号传输到所述行中的所述第二开关器件； 多个输出线，每个所述输出线与所述存储器单位的相应列相关联；以及 多个电流控制器，每个所述电流控制器通过电流控制线连接到所述存储器单元的相应列中的所述电流发生器器件，并用于设置由所述存储器单元的相应列中的所述电流发生器器件产生的电流水平； 其中，根据从所述输入线接收的输入信号，所述存储器单元的每个所述列中的所述第二开关器件用于所述存储器单元中的电流源到与列相关联的输出线的连接或断开，并且根据储存在所述存储器单元中的所述存储器单位中的数据，每个所述存储器单元中的所述第一开关器件用于允许或防止来自所述电流发生器器件的电流， 其中，在每个存储器单元中：所述存储器单位包括用于在储存节点处储存信号的静态随机存取存储器单元，所述第一开关器件包括第一晶体管，所述第一晶体管具有连接到所述储存节点的栅极，所述电流发生器器件包括第二晶体管，所述第二晶体管具有连接到与存储器单元的列相关联的电流控制线的栅极，所述第二开关器件包括第三晶体管，所述第三晶体管具有连接到与所述存储器单元的行相关联的所述输入线的栅极。

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