上海华力微电子有限公司吴一姗获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利存储器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823689B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210418436.7，技术领域涉及：H10B41/42；该发明授权存储器的制造方法是由吴一姗;姚邵康;王奇伟设计研发完成，并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种存储器的制造方法，在衬底背面出现氧化硅层后，先将氧化硅层去除，再继续后续工艺，使得衬底背面形成的多层氮化硅层之间未穿插有氧化硅，从而可利用去除氮化硅牺牲层的工艺将衬底背面的氮化硅层全部去除。即，在形成器件的同时，可将衬底背面形成的氮化硅膜层全部去除掉，有助于消除衬底的应力，从而改善字线倾斜的缺陷，并进一步改善字线间漏电的情况。
本发明授权存储器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，在所述衬底的正面上形成多条字线，包括形成第一氮化硅层，所述第一氮化硅层形成在所述衬底的正面上，还形成在所述衬底的背面上； 形成第二氮化硅层，所述第二氮化硅层覆盖所述字线的侧壁以构成氮化硅牺牲层； 形成第一氧化硅层，所述第一氧化硅层覆盖所述字线和所述氮化硅牺牲层，以及还覆盖在衬底背面的第一氮化硅层上； 去除衬底背面的第一氧化硅层，以暴露出所述衬底背面的第一氮化硅层； 形成第三氮化硅层，所述第三氮化硅层覆盖在衬底正面的第一氧化硅层和所述衬底背面的第一氮化硅层上； 去除所述氮化硅牺牲层，同时去除衬底背面暴露出的第三氮化硅层和第一氮化硅层。
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