台湾积体电路制造股份有限公司江昱维获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823710B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210138577.3，技术领域涉及：H10B51/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由江昱维;赖昇志;杨丰诚;林仲德设计研发完成，并于2022-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了半导体结构。该半导体结构包括衬底和设置在衬底上方的堆叠结构。该堆叠结构包括多个交替堆叠的绝缘层与栅极构件。芯结构设置在堆叠结构中。该芯结构包括存储器层、沟道构件、接触构件和衬垫构件。该沟道构件设置在存储器层上。该接触构件设置在沟道构件上。该衬垫构件包围芯结构的一部分。本发明还提供了用于制造半导体结构的方法。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体结构的方法，包括： 提供上面设置有堆叠结构的衬底，其中，所述堆叠结构包括多个交替堆叠的绝缘层与牺牲层； 去除所述堆叠结构的部分以形成多个第一沟槽，以暴露所述绝缘层中的靠近所述衬底的一个绝缘层； 在所述第一沟槽内共形地形成衬垫层； 在所述衬垫层上方共形地形成存储器层； 在所述存储器层上方共形地形成沟道层； 在所述沟道层上方共形地形成覆盖层； 在所述覆盖层上方沉积介电层以填充所述第一沟槽； 去除所述牺牲层以在所述堆叠结构中形成多个开口； 去除所述衬垫层的由所述开口暴露的部分；以及 沉积第一导电材料以填充所述开口； 去除所述介电层和所述覆盖层以形成第二沟槽； 将第二导电材料沉积至所述第二沟槽中以形成位线或源极线；以及 在所述第二导电材料上形成互连结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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