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龙图腾网获悉苏州领慧立芯科技有限公司申请的专利一种积分器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114826249B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210441058.4，技术领域涉及：H03K19/0944；该发明授权一种积分器电路是由王汉卿;李雪民;梅恒芳设计研发完成，并于2022-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种积分器电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种积分器电路，包括：采样模块、反馈模块、积分模块和放大器，放大器包括放大模块和偏置模块；采样模块分别与放大模块和偏置模块连接，采样模块用于采集输入信号；反馈模块分别与放大模块和偏置模块连接，反馈模块用于为放大模块提供反馈信号；积分模块与放大模块连接，积分模块用于生成矩形波信号；放大模块分别与采样模块、反馈模块、积分模块和偏置模块连接，放大模块用于将输入信号放大；偏置模块分别与采样模块、反馈模块和放大模块连接，偏置模块用于为放大模块提供偏置电压。本发明的积分器电路通过将放大器分为放大模块和偏置模块，偏置为放大模块提供偏置电压，使得反馈模块和采样模块中的开关容易导通。

本发明授权一种积分器电路在权利要求书中公布了：1.一种积分器电路，其特征在于，包括：采样模块、反馈模块、积分模块和放大器，所述放大器包括放大模块和偏置模块； 所述采样模块分别与所述放大模块和偏置模块连接，所述采样模块用于采集输入信号； 所述反馈模块分别与所述放大模块和偏置模块连接，所述反馈模块用 于为放大模块提供反馈信号； 所述积分模块与所述放大模块连接，所述积分模块用于生成矩形波信号； 所述放大模块分别与所述采样模块、反馈模块、积分模块和偏置模块连接，所述放大模块用于将输入信号放大； 所述偏置模块分别与所述采样模块、反馈模块和放大模块连接，所述偏置模块用于为所述放大模块提供偏置电压； 所述偏置模块包括第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管和第五PMOS管； 所述第六NMOS管的栅极与其漏极和第八NMOS管的源极连接，所述第六NMOS管的漏极分别与其栅极和第八NMOS管的源极连接，所述第六NMOS管的源极与电源负极连接； 所述第七NMOS管的栅极与其漏极和第九NMOS管的源极连接，所述第七NMOS管的漏极分别与其栅极、第九NMOS管的源极、采样模块和反馈模块连接，所述第七NMOS管的源极与电源负极连接； 所述第八NMOS管的栅极与其漏极、第九NMOS管的栅极和第五PMOS管的漏极连接，所述第八NMOS管的漏极与其栅极、第九NMOS管的栅极和第五PMOS管的漏极连接，所述第八NMOS管的源极与所述第六NMOS管的栅极、漏极连接； 所述第九NMOS管的栅极与第八NMOS管的漏极、栅极和第五PMOS管的漏极连接，所述第九NMOS管的漏极与电源正极连接，所述第九NMOS管的源极分别与所述第七NMOS管的栅极、漏极、采样模块和反馈模块连接； 第五PMOS管的栅极与第二偏置电压连接，第五PMOS管的漏极与所述第九NMOS管的栅极、第八NMOS管的漏极、栅极连接，第五PMOS管的源极与电源正极连接。

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