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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种改变SiC衬底形状的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864378B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210418807.1，技术领域涉及：H10P90/00；该发明授权一种改变SiC衬底形状的方法是由陈秀芳;郭枫林;徐现刚设计研发完成，并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改变SiC衬底形状的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高效改变SiC衬底形状的方法，该方法包括采用双面研磨机对切割后的晶片进行双面研磨；清洗后采用双面抛光机将清洗完毕的晶片置于抛光机中进行双面机械抛光，如果双面机械抛光之后的晶片形状相对于目标形状为劣，且Bow＞15um，对晶片进行补充性单面机械抛光，最后将机械抛光后的晶片，对硅面或者碳面进行化学机械抛光，得到均匀凹陷或凸起的SiC衬底。本发明通过特定的研磨机抛光时晶片朝向以及上下盘转速，突破了非极性半导体加工的局限性，在保证SiC衬底表面高平整度和低表面粗糙度的前提下，可以将衬底形状快速加工至均匀凹陷或凸起，有效缩减了传统加工的繁琐步骤，并能提高抛光液寿命从而节约加工成本。

本发明授权一种改变SiC衬底形状的方法在权利要求书中公布了：1.一种改变SiC衬底形状的方法，包括步骤如下： 1、采用多线切割机，将SiC单晶棒切割成厚度500~700um厚的晶片，切割后晶片表面平整无裂纹； 2、采用双面研磨机对切割后的晶片进行双面研磨；若最终产品要求Si面凹陷，则研磨时晶片放置方向为碳面朝上，硅面向下，研磨过程中控制上盘和下盘转速，研磨上盘转速大于研磨下盘转速；若产品要求碳面凹陷，晶片放置方向为碳面朝下，硅面向上，研磨上盘转速大于研磨下盘转速；研磨压力20-100gcm2，研磨转速5~25rpm，研磨后晶片表面无刀痕，厚度350~550um，并且Bow＜25um，Warp＜20um； 研磨机采用双面铸铁盘研磨机，磨料为粒度10-20um的碳化硼微粉； 研磨时，若最终产品要求Si面凹陷，则研磨时晶片放置方向为碳面朝上，硅面向下，研磨上盘的转速为15-25rpm，研磨压力为25-50gcm2，研磨下盘的转速为5-15rpm，研磨压力为25-50gcm2，加载方式为气缸加压，研磨时间为180min-240min； 研磨时，若产品要求碳面凹陷，晶片放置方向为碳面朝下，硅面向上，研磨上盘的转速为15-25rpm，研磨压力为25-50gcm2，研磨下盘的转速为5-15rpm，研磨压力为25-50gcm2，加载方式为气缸加压，研磨时间为180min-240min； 3、采用超声清洗机对研磨完毕的晶片进行超声清洗40~70min，去除表面研磨颗粒，之后对清洗完毕的晶片进行干燥和擦拭；超声清洗频率为50-70kHZ，清洗介质为水； 4、采用双面抛光机将清洗完毕的晶片置于抛光机中进行双面机械抛光，晶片的放置朝向与步骤3的相同，抛光上盘、抛光下盘的转速大小关系与研磨上盘、研磨下盘的转速大小关系相同，磨料为金刚石微粉，转速10-40rpm，抛光压力80-200gcm2，抛光后晶片双面粗糙度小于2nm，Bow＜20um，Warp＜10um； 抛光机采用双面铜盘抛光机，抛光料为1-10um的金刚石微粉； 抛光时，若最终产品要求Si面凹陷，则研磨时晶片放置方向为碳面朝上，硅面向下，抛光上盘的转速为30-40rpm，研磨压力为25-50gcm2，抛光时间6-9h； 抛光时，若产品要求碳面凹陷，晶片放置方向为碳面朝下，硅面向上，抛光上盘的转速为30-40rpm，研磨压力为25-50gcm2，抛光时间6-9h； 5、如果双面机械抛光之后的晶片形状相对于目标形状为劣，且Bow＞15um，对晶片进行补充性单面机械抛光，若最终产品要求Si面凹陷，对C面进行补充抛光，若最终产品要求C面凹陷，对Si面进行补充抛光；单面机械抛光转速30-40rpm，压力150-250gcm2； 6、采用单面抛光机，将步骤4或步骤5机械抛光后的晶片，对硅面或者碳面进行化学机械抛光，磨料为SiO2微粉，抛光转速30-50rpm，压力100-300gcm2，化学机械抛光后表面粗糙度小于0.2nm，Bow＜20um，Warp＜10um；化学机械抛光抛光垫为聚氨酯抛光垫，抛光时间为10-16h；抛光液为双氧水、平均粒径200nm的纳米二氧化硅颗粒、稳定剂组成的酸性浆料； 7、清洗：用清洗机和旋转干燥机对化学抛光后的晶片进行清洗和干燥；得到均匀凹陷或凸起的SiC衬底。

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