联华电子股份有限公司谢奇颖获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864577B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210397518.8，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其制作方法是由谢奇颖;陈志容;陈建宏;李志岳;邱诚朴;卢世敏;林永崧设计研发完成，并于2018-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含一底材，其上具有多个鳍状结构；一绝缘氧化结构，设于该底材中，该绝缘氧化结构介于两个相邻的所述鳍状结构之间，其中该绝缘氧化结构具有一下凹的弧形顶面；一栅极，设于该多个鳍状结构上；一栅极介电层，设于该栅极与该多个鳍状结构之间；以及一漏极源极掺杂区，设于各该多个鳍状结构中。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包含： 底材，其上具有多个鳍状结构，其中该多个鳍状结构包含密集平行排列在一起的连续的四条第一鳍状结构，以及孤立的第二鳍状结构，该四条第一鳍状结构之间具有第一间距，该四条第一鳍状结构中最靠近该第二鳍状结构一条与该第二鳍状结构之间具有第二间距，该第一间距小于该第二间距； 第一绝缘氧化结构和第二绝缘氧化结构，设于该底材中，该第一绝缘氧化结构介于该四条第一鳍状结构中相邻两条之间，该第二绝缘氧化结构介于该四条第一鳍状结构中最靠近该第二鳍状结构一条与该第二鳍状结构之间，其中该第一绝缘氧化结构具有下凹的第一弧形顶面，该第二绝缘氧化结构具有下凹的第二弧形顶面，其中该第一弧形顶面具有邻接该第一鳍状结构的第一侧壁的第一最高上缘，该第二弧形顶面具有邻接该第一鳍状结构的第二侧壁的第二最高上缘，该第一最高上缘具有第一深度，该第二最高上缘具有第三深度，该第一深度小于该第三深度； 栅极，设于该多个鳍状结构上； 栅极介电层，设于该栅极与该多个鳍状结构之间；以及 漏极源极掺杂区，设于各该多个鳍状结构中。
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