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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺腔室及其管路检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883212B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210517868.3，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权半导体工艺腔室及其管路检测方法是由桑强强;汤中海;戚利;谢梦雨;张建坤;赵尊华设计研发完成，并于2022-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体工艺腔室及其管路检测方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种管路检测方法，包括：等离子体形成步骤、控制半导体工艺腔室的一根进气管路向腔体中提供工艺气体，并控制启辉组件电离腔体中的工艺气体以形成等离子体；识别步骤、控制光信号检测装置检测等离子体产生的光信号，并将光信号对应于各波长的幅值与各工艺气体对应的标准光信号进行比较，若光信号对应于各波长的幅值与某一工艺气体对应的标准光信号匹配，则判定对应的进气管路状态正常；重复上述步骤，以对多根进气管路进行检测。本发明提供的管路检测方法根据气体电离形成的等离子体的光信号判断工艺气体纯度，进而识别管路对应的工艺气体并检测各进气管路的气密性，提高了半导体工艺腔室的维护效率。本发明还提供一种半导体工艺腔室。

本发明授权半导体工艺腔室及其管路检测方法在权利要求书中公布了：1.一种管路检测方法，应用于半导体工艺腔室，所述半导体工艺腔室包括腔体、启辉组件和多根进气管路，多根所述进气管路用于分别向所述腔体中提供不同的工艺气体，所述启辉组件用于电离所述腔体中的工艺气体以形成等离子体，所述启辉组件包括上射频电源和上电极，所述上射频电源用于通过所述上电极向所述腔体中提供射频功率，其特征在于，所述半导体工艺腔室还包括光信号检测装置，用于检测所述腔体内部的光信号，所述管路检测方法用于在机台安装完成后进行且在机台投入运行前进行检测，所述管路检测方法包括： 等离子体形成步骤：控制其中一根所述进气管路向所述腔体中提供工艺气体，并控制所述启辉组件电离所述腔体中的工艺气体以形成等离子体； 识别步骤：控制所述光信号检测装置检测所述等离子体产生的光信号，并将所述光信号对应于各波长的幅值与各工艺气体对应的标准光信号进行比较，若所述光信号对应于各波长的幅值与某一工艺气体对应的所述标准光信号匹配，则判定对应的所述进气管路状态正常，并将该进气管路识别为与该工艺气体对应；若与所有工艺气体对应的标准光信号均不匹配则判定对应的所述进气管路状态异常； 重复循环执行所述等离子体形成步骤以及所述识别步骤，以对多根所述进气管路进行检测； 其中，所述等离子体形成步骤包括： 控制所述进气管路以第一预设流量向所述腔体中提供工艺气体，持续第一工艺时间，以将所述腔体内部的原有气体排出； 控制所述进气管路以第二预设流量向所述腔体中提供所述工艺气体，并控制所述上射频电源向所述上电极提供启辉上电极功率，持续第二工艺时间，以去除所述腔体内部结构表面的附着物； 控制所述进气管路以第三预设流量向所述腔体中提供所述工艺气体，并控制所述上射频电源向所述上电极提供稳定上电极功率，持续第三工艺时间，其中，所述稳定上电极功率小于所述启辉上电极功率； 所述第一预设流量为100sccm～200sccm，所述第一工艺时间为20s～60s；所述第二预设流量为100sccm～200sccm，所述启辉上电极功率不低于1500W，所述第二工艺时间为20s～60s；所述第三预设流量为50sccm～100sccm，所述稳定上电极功率为300W～1000W，所述第三工艺时间为20s～60s； 其中，所述控制所述光信号检测装置检测所述等离子体产生的光信号，包括： 在所述进气管路以所述第三预设流量向所述腔体中提供工艺气体并经过预设时间后，控制所述光信号检测装置检测所述等离子体产生的光信号。

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