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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利半导体外延生长的前驱体封装容器及半导体外延生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114892266B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210478273.1，技术领域涉及：C30B25/14；该发明授权半导体外延生长的前驱体封装容器及半导体外延生长方法是由闫其昂;王国斌;周溯沅设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体外延生长的前驱体封装容器及半导体外延生长方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体外延生长的前驱体封装容器及半导体外延生长方法。所述前驱体封装容器包括：第一容置体，包绕形成第一容置腔室；其内的第二容置体，包绕形成第二容置腔室；进气通道，与第二容置腔室相连通；出气通道与第一容置腔室相连通；连接通道连通所述第一容置腔室和第二容置腔室，且所述连接通道为狭长形的。本发明利用狭长的连接通道连通第一和第二容置腔室，第一容置腔室内的第一前驱体能够补偿第二前驱体中的固态源不断消耗出现的蒸气压降低现象；并通过狭长的连接通道快速调整外因改变导致的第一和第二容置腔室内部的蒸气压差，提供持续稳定的前驱体输出，提高工艺稳定，同时降低了固态源的更换周期，提高了生长镓动率。

本发明授权半导体外延生长的前驱体封装容器及半导体外延生长方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体外延生长的前驱体封装容器，其特征在于，包括： 第一容置体，所述第一容置体包绕形成第一容置腔室，用于容置第一前驱体； 第二容置体，所述第二容置体设置于所述第一容置腔室内部，且所述第二容置体包绕形成第二容置腔室，用于容置第二前驱体； 进气通道，所述进气通道与第二容置腔室相连通； 出气通道，所述出气通道与第一容置腔室相连通，所述进气通道和出气通道均设置有气路接头； 以及，连接通道，所述连接通道连通所述第一容置腔室和第二容置腔室，且所述连接通道为狭长形的； 其中，所述第二前驱体为固态前驱体，所述第一前驱体为所述固态前驱体的溶液； 载气依次经过所述进气通道、所述第二容置腔室、所述连接通道、所述第一容置腔室以及所述出气通道； 所述进气通道包括伸入所述第二容置腔室内的进气管以及与所述进气管末端相接并连通的喷淋结构，所述喷淋结构沿所述进气管的进气方向依次设置有横向气体通路、与所述横向气体通路连通的多个扩散孔、与每个所述扩散孔连通的缓冲单元以及与每个所述缓冲单元连接的扩散结构，所述扩散结构为多通孔结构，所述横向气体通路用于以所述进气方向为轴的径向使载气横向均布。

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