格芯(美国)集成电路科技有限公司马乐言获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利用于鳍式横向双极结型晶体管器件中的超低泄漏的扩展浅沟槽隔离获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114944420B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210135751.9，技术领域涉及：H10D10/60；该发明授权用于鳍式横向双极结型晶体管器件中的超低泄漏的扩展浅沟槽隔离是由马乐言;亚历山大·德里克森;J·R·霍尔特设计研发完成，并于2022-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于鳍式横向双极结型晶体管器件中的超低泄漏的扩展浅沟槽隔离在说明书摘要公布了：本公开涉及一种用于鳍式横向双极结型晶体管器件中的超低泄漏的扩展浅沟槽隔离。一种横向双极结型晶体管BJT器件包括：发射极区、集电极区和基极区，基极区位于发射极区和集电极区之间并横向分离发射极区和集电极区，基极区包括内基极区；以及腔，其形成在半导体衬底中并填充有绝缘材料，腔将内基极区的下表面与半导体衬底物理分离。
本发明授权用于鳍式横向双极结型晶体管器件中的超低泄漏的扩展浅沟槽隔离在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 发射极区、集电极区和基极区，所述基极区位于所述发射极区和所述集电极区之间并横向分离所述发射极区和所述集电极区，所述基极区包括内基极区；以及 腔，其形成在半导体衬底中并填充有绝缘材料，所述腔将所述内基极区的下表面与所述半导体衬底物理分离， 其中所述发射极区、所述集电极区、所述基极区和所述腔形成在鳍结构中， 其中所述腔将所述鳍结构的第一部分与所述鳍结构的第二部分物理分离。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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