北京北方华创微电子装备有限公司赵晓建获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利一种半导体设备的控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114999990B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210762213.2，技术领域涉及：H10P72/72；该发明授权一种半导体设备的控制方法是由赵晓建;徐晶晶设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体设备的控制方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体设备的控制方法，半导体设备包括：双极静电卡盘、静电吸附电源、上射频电源、下射频电源、补偿电源；控制方法包括多个依次执行的工艺步骤，且每个工艺步骤均包括：若进入等离子体产生的工艺环节，则依次开启上射频电源、下射频电源及补偿电源；若退出等离子体产生的工艺环节，则依次关闭补偿电源、下射频电源及上射频电源。本申请可利用补偿电源补偿鞘层电压产生的偏压，以避免因鞘层电压产生的偏压导致的晶圆吸附异常，从而提升工艺的安全稳定；而且，本申请限定了上射频电源、下射频电源及补偿电源的开启和关闭顺序，以避免前一个工艺步骤对后一个工艺步骤产生影响，从而保证工艺的正常进行。
本发明授权一种半导体设备的控制方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体设备的控制方法，其特征在于，所述半导体设备包括：用于吸附晶圆的双极静电卡盘、用于为所述双极静电卡盘提供电压的静电吸附电源、上射频电源、下射频电源、用于补偿所述晶圆上鞘层电压产生的偏压的补偿电源；所述控制方法包括多个依次执行的工艺步骤，且每个所述工艺步骤均包括： 若进入等离子体产生的工艺环节，则依次开启所述上射频电源、所述下射频电源及所述补偿电源； 若退出所述等离子体产生的工艺环节，则依次关闭所述补偿电源、所述下射频电源及所述上射频电源。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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