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龙图腾网获悉珠海鸿芯科技有限公司申请的专利一种CMOS敏感信号PAD的屏蔽结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020371B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210542409.0，技术领域涉及：H10W42/20；该发明授权一种CMOS敏感信号PAD的屏蔽结构是由茹金泉;陈明瑜;陈永烈;陈明娇设计研发完成，并于2022-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CMOS敏感信号PAD的屏蔽结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种CMOS敏感信号PAD的屏蔽结构，该结构包括敏感信号PAD、第一屏蔽结构、第二屏蔽结构，敏感信号PAD包括第一钝化层与第一金属层，第一屏蔽结构包括第二钝化层以及第二金属层，第二屏蔽结构包括第三钝化层以及第三金属层，第一金属层、第二金属层、第三金属层两两相互平行且处于第一预设高度，第一金属层与第二金属层相距预设距离，第一金属层与第三金属层相距预设距离。本发明通过第一屏蔽结构与第二屏蔽结构取代左右屏蔽PAD以及通过增加敏感信号PAD左右两边的PAD之间的距离的方式，实现保证敏感信号PAD的信号完整性的同时减少芯片的面积。

本发明授权一种CMOS敏感信号PAD的屏蔽结构在权利要求书中公布了：1.一种CMOS敏感信号PAD的屏蔽结构，其特征在于，包括： 敏感信号PAD、第一屏蔽结构、第二屏蔽结构，所述敏感信号PAD包括第一钝化层与第一金属层，所述第一屏蔽结构与所述第二屏蔽结构表现为金属屏蔽线的方式，所述第一屏蔽结构包括第二钝化层以及第二金属层，所述第二屏蔽结构包括第三钝化层以及第三金属层，所述第二金属层的金属以及所述第三金属层的金属均与所述第一金属层的金属相同； 所述第一钝化层固定在所述第一金属层上，所述第二钝化层固定在所述第二金属层上，所述第三钝化层固定在所述第三金属层上；所述第一钝化层开设有容许外部敏感信号连接到所述第一金属层的窗口； 所述第一屏蔽结构与所述第二屏蔽结构均连接地端或所述第一屏蔽结构与所述第二屏蔽结构均连接电源端； 所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层两两相互平行且处于第一预设高度，所述第一金属层与所述第二金属层相距预设距离，所述第一金属层与所述第三金属层相距所述预设距离; 所述敏感信号PAD包括第一子金属层，所述第一屏蔽结构包括第二子金属层，所述第二屏蔽结构包括第三子金属层；所述第一子金属层的金属、所述第二子金属层的金属、所述第三子金属层的金属均与所述第一金属层的金属相同； 所述第一子金属层连接所述第一金属层，所述第二子金属层连接所述第二金属层，所述第三子金属层连接所述第三子金属层； 所述第一子金属层、所述第二子金属层、所述第三子金属层两两相互平行且处于第二预设高度，所述第二预设高度小于所述第一预设高度，所述第一子金属层与所述第二子金属层相距所述预设距离，所述第一子金属层与所述第三子金属层相距所述预设距离; 所述第一子金属层通过第一硅通孔连接所述第一金属层，所述第二子金属层通过第二硅通孔连接所述第二金属层，所述第三子金属层通过第三硅通孔连接所述第三子金属层。

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