上海积塔半导体有限公司独虎获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064534B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210853909.6，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由独虎;叶蕾;黄永彬设计研发完成，并于2022-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供一包括半导体层、隔离结构、有源区及栅极结构的半导体结构；于半导体结构的上表面依次形成阻挡层及位于阻挡层上表面的光阻层；形成位于光阻层中的第一开口，第一开口的底部显露出阻挡层，基于第一开口于有源区的上表层形成阱区，并去除第一开口底部的阻挡层以形成位于阻挡层中的第二开口；去除光阻层，并基于第二开口形成源漏区，源漏区位于栅极结构与隔离层之间的阱区的上表层；去除阻挡层。本发明通过于半导体结构的上表面及光阻层之间形成一层阻挡层，避免了形成阱区过程中造成器件等离子体损伤及形成源漏区过程中工艺稳定性差的问题。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一半导体结构，所述半导体结构包括半导体层、位于所述半导体层中的隔离结构、位于所述隔离结构之间的有源区及侧壁距离所述隔离结构预设距离的栅极结构； 于所述半导体结构的上表面依次形成阻挡层及位于所述阻挡层上表面的光阻层，所述阻挡层覆盖所述栅极结构的显露表面，所述阻挡层包括抗反射层，所述阻挡层的厚度范围为5000Å~10000Å； 形成第一开口于所述光阻层中，所述第一开口的底部显露出所述阻挡层，基于所述第一开口于所述有源区的上表层形成第一导电类型阱区，并去除所述第一开口底部的所述阻挡层以形成位于所述阻挡层中的第二开口，所述第二开口的底部显露出所述有源区及所述栅极结构； 去除所述光阻层，并基于所述第二开口形成第二导电类型源漏区，所述源漏区位于所述栅极结构与所述隔离结构之间的所述阱区的上表层； 去除所述阻挡层。
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