上海积塔半导体有限公司冷国庆获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115083901B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210739367.X，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由冷国庆;袁雷兵;刘建华设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：提供衬底；于所述衬底内形成多个间隔分布的沟槽栅极结构；于相邻所述沟槽栅极结构之间衬底内顶部形成间隔的源区结构，以形成功率器件结构；于所述衬底远离所述沟槽栅极结构的表面形成预设厚度的介质层。本申请能够改善硅片工艺过程的翘曲问题，且可针对硅片不同的翘曲状态采用对应不同的应力介质层，从而可提升器件性能并使其工艺成为可批量化生产的工艺。
本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底； 于所述衬底内形成多个间隔分布的沟槽栅极结构；所述沟槽栅极结构的宽度相同，相邻所述沟槽栅极结构的间距相同； 于相邻所述沟槽栅极结构之间衬底内顶部形成间隔的源区结构，以形成功率器件结构； 于所述衬底远离所述沟槽栅极结构的表面形成预设厚度的介质层；所述介质层用于向所述衬底产生拉应力，使得所述衬底的曲率半径大于或等于目标曲率半径； 于相邻所述沟槽栅极结构之间衬底内顶部形成间隔的源区结构，以形成功率器件结构的步骤，包括： 采用离子注入工艺于所述沟槽栅极结构相对两侧的衬底内形成第一类型阱区； 采用离子注入工艺于所述沟槽栅极结构相对两侧的第一类型阱区内形成第二类型重掺杂区，以形成所述源区结构； 采用离子注入工艺于相邻所述第二类型重掺杂区之间的衬底内形成第一类型重掺杂区，以形成体区结构；相邻所述沟槽栅极结构的第二类型重掺杂区之间经由所述第一类型重掺杂区隔离； 形成正面金属层，所述正面金属层与其正下方的多个所述第一类型重掺杂区电连接，所述正面金属层与所述第二类型重掺杂区之间经由介质隔离层绝缘。
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