铠侠股份有限公司松尾浩司获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116519B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110986485.6，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权半导体存储装置是由松尾浩司;荒井史隆设计研发完成，并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置在说明书摘要公布了：本发明的实施方式提供一种能够高集成化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：多个存储区块区域，沿第1方向排列；接线区域，相对于多个存储区块区域沿第1方向排列；及配线区域，在第1方向上延伸，与多个存储区块区域及接线区域沿与第1方向交叉的第2方向排列。多个存储区块区域分别具备：多个存储串，在第1方向上延伸，且沿第2方向排列；及第1配线，在第2方向上延伸，共通地连接于多个存储串。配线区域具备第2配线，该第2配线在第1方向上延伸，共通地连接于与多个存储区块区域对应的多个第1配线。接线区域具备：第3配线，电连接于第2配线；及接触电极，在与第1方向及第2方向交叉的第3方向上延伸，连接于第3配线。
本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备 多个存储区块区域，沿第1方向排列； 接线区域，相对于所述多个存储区块区域沿所述第1方向排列；及 配线区域，在所述第1方向上延伸，与所述多个存储区块区域及所述接线区域沿与所述第1方向交叉的第2方向排列；且 所述多个存储区块区域分别具备： 多个存储串，在所述第1方向上延伸，且沿所述第2方向排列；及 第1配线，在所述第2方向上延伸，且共通地连接于所述多个存储串； 所述配线区域具备第2配线，该第2配线在所述第1方向上延伸，共通地连接于与所述多个存储区块区域对应的多个第1配线， 所述接线区域具备： 第3配线，电连接于所述第2配线；及 接触电极，在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上延伸，且连接于所述第3配线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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