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广州奥松电子股份有限公司张宾获国家专利权

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龙图腾网获悉广州奥松电子股份有限公司申请的专利一种耐高温高湿湿度传感器及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115201283B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210585553.2,技术领域涉及:G01N27/22;该发明授权一种耐高温高湿湿度传感器及其制备方法是由张宾;李婷;陈新准;赵罗恒;谢傲臻;朱瑞;邱国财;陈善任;傅凯强设计研发完成,并于2022-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。

一种耐高温高湿湿度传感器及其制备方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种耐高温高湿湿度传感器,包括硅晶圆和湿敏膜;所述硅晶圆包括硅基底、形成在硅基底上的金属电极;所述湿敏膜形成在所述金属电极表面;所述湿敏膜采用反应体系中引入光敏基团和多官能度胺所得到的交联型聚酰胺酸薄膜。本申请还公开了一种耐高温高湿湿度传感器的制备方法。本申请所述的耐高温高湿湿度传感器采用含氟交联型聚酰亚胺薄膜作为湿敏膜,降低了湿敏膜的吸湿率和介电常数,赋予湿敏膜耐热、稳定、耐水解等性能;降低了湿度传感器的湿度偏差,提其高测量精准度。

本发明授权一种耐高温高湿湿度传感器及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种耐高温高湿湿度传感器,包括 硅晶圆和湿敏膜;所述硅晶圆包括硅基底、形成在硅基底上钝化层、以及形成在钝化层上的金属电极;所述湿敏膜形成在所述金属电极表面; 其特征在于,所述湿敏膜采用反应体系中引入光敏基团和多官能度胺所得到的交联型聚酰亚胺薄膜;所述光敏基团来自含双键的光敏化合物;所述交联型聚酰亚胺薄膜为引入含氟基团的交联型聚酰亚胺薄膜;所述交联型聚酰亚胺薄膜的厚度为2-4μm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人广州奥松电子股份有限公司,其通讯地址为:510765 广东省广州市黄埔区云骏路17号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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