美光科技公司A·D·韦切斯获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于堆叠式存储器的电力分配获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206391B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210286067.0，技术领域涉及：G11C16/12；该发明授权用于堆叠式存储器的电力分配是由A·D·韦切斯;B·P·卡拉韦设计研发完成，并于2022-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于堆叠式存储器的电力分配在说明书摘要公布了：本申请案是针对用于堆叠式存储器的电力分配。存储器裸片可配置有用于将电力提供到另一存储器裸片的一或多个导电路径，其中每一导电路径可穿过所述存储器裸片，但可与用于操作所述存储器裸片的电路系统电隔离。每一导电路径可提供所述存储器裸片的第一组触点中的至少一者例如，可与电源耦合与所述存储器裸片的第二组触点中的至少一者例如，可与另一存储器裸片耦合之间的电子耦合。为了支持所述存储器裸片的操作，所述第一组中的触点可与用于操作所述存储器裸片的存储器阵列的电路系统耦合，且为了支持另一存储器裸片的操作，所述第一组中的另一触点可与所述电路系统电隔离。
本发明授权用于堆叠式存储器的电力分配在权利要求书中公布了：1.一种设备，其包括： 第一半导体裸片的存储器阵列，所述存储器阵列包括多个存储器单元； 第一接口，其可与在所述第一半导体裸片外部的电源耦合； 第二接口，其与所述第一半导体裸片内的所述第一接口电隔离且可与所述电源耦合；以及 第三接口，其与所述第一半导体裸片内的所述第一接口电隔离、与所述第一半导体裸片内的所述第二接口耦合，且可与包括所述第一半导体裸片和第二半导体裸片的存储器裸片堆叠中的所述第二半导体裸片耦合，所述第二半导体裸片包括可经由与所述第一半导体裸片相同的命令地址总线寻址的第二多个存储器单元，其中所述第二半导体裸片沿从所述第二接口到所述第三接口的方向相对于所述第一半导体裸片交错。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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