中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司柳圣浩获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利电容器、半导体器件、电子设备及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206970B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110396408.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权电容器、半导体器件、电子设备及其制造方法是由柳圣浩;李俊杰;周娜;杨红;李俊峰;王文武设计研发完成，并于2021-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容器、半导体器件、电子设备及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种电容器结构，包括：半导体基底；位于半导体基底上的多个存储节点接触部；每个所述存储节点接触部上设有一个半包围结构的下电极，并且每两个相对的所述半包围结构的下电极形成一对围绕上电极的下电极对；所述下电极对的两个相对的下电极和所述上电极三者之间彼此被介电层隔开。本申请中的制造方法得到的电容器及半导体器件，能够在保证电容器存储单位存储能力等器件性能前提下，有效减少制造工艺的难度，并且在简化工艺的基础上，突破了传统6F2沟槽工艺方式的限制，从而减小了电容器之间的间隙，制备得到比现有电容器更小的尺寸，提高了半导体器件的集成度。
本发明授权电容器、半导体器件、电子设备及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电容器结构，包括： 半导体基底； 位于半导体基底上的多个存储节点接触部； 每个所述存储节点接触部上设有一个半包围结构的下电极，并且每两个相对的所述半包围结构的下电极形成一对围绕上电极的下电极对； 所述下电极对的两个相对的下电极和所述上电极三者之间彼此被介电层隔开。
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