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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利背照式图像传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115224064B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210783490.1，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权背照式图像传感器及其制作方法是由蔡巧明;李浩业设计研发完成，并于2022-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本背照式图像传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种背照式图像传感器及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，衬底包含像素区和非像素区，且衬底内形成有位于像素区的多个像素电极和位于非像素区的多个金属互连层；在像素区的衬底内形成深沟槽隔离结构，在像素区的衬底上形成金属格栅，金属格栅位于深沟槽隔离结构上方，深沟槽隔离结构位于像素电极上方，且靠近非像素区的金属格栅延伸至非像素区；在非像素区的衬底内形成金属焊盘，金属焊盘与金属互连层相连接，且金属焊盘与延伸至非像素区的金属格栅相连接。本发明通过将金属格栅与金属焊盘相连接，从而不需要另外制作接地孔以将所述金属格栅接地，减少了掩膜版的使用，从而减少了工艺步骤，节约了工艺成本。

本发明授权背照式图像传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底，所述衬底包含像素区和非像素区，且所述衬底内形成有位于所述像素区的多个像素电极和位于所述非像素区的多个金属互连层； 在所述像素区的所述衬底内形成深沟槽隔离结构，在所述像素区的所述衬底上形成金属格栅，所述金属格栅位于所述深沟槽隔离结构上方，所述深沟槽隔离结构位于所述像素电极上方，且靠近所述非像素区的所述金属格栅延伸至所述非像素区；以及 在所述非像素区的所述衬底内形成金属焊盘，所述金属焊盘与所述金属互连层相连接，且所述金属焊盘与延伸至所述非像素区的所述金属格栅相连接； 其中，在所述像素区的所述衬底上形成金属格栅的方法包括： 对所述非像素区的所述衬底进行第一次刻蚀，形成第一开口，所述第一开口位于所述金属互连层上方且未暴露出所述金属互连层，且所述第一开口的侧壁暴露出延伸至所述非像素区的所述金属格栅； 对所述非像素区的所述衬底进行第二次刻蚀，在所述第一开口内形成至少两个第二开口，每个所述第二开口均暴露出部分所述金属互连层，且靠近所述像素区的所述第二开口的其中一个侧壁与所述第一开口的侧壁在垂直于所述衬底的方向上相连接； 形成金属材料层，所述金属材料层覆盖所述衬底、填满所述第二开口并填充所述第一开口的侧壁及底部，且所述金属材料层与所述第一开口的侧壁暴露出的所述金属格栅相连接；以及 刻蚀所述金属材料层在所述第二开口与所述第一开口内形成金属焊盘，且在所述第一开口靠近所述像素区的侧壁上残留部分所述金属材料层，所述金属焊盘通过所述金属材料层与所述金属格栅相连接。

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