中国科学院微电子研究所赵治国获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种三维存储器的制作方法以及三维存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241201B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110442734.5，技术领域涉及：H10B43/00；该发明授权一种三维存储器的制作方法以及三维存储器是由赵治国;霍宗亮;李春龙;叶甜春设计研发完成，并于2021-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维存储器的制作方法以及三维存储器在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种三维存储器的制作方法及三维存储器，该制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成堆叠结构；在所述堆叠结构背离所述衬底一侧形成第一掩膜版；以第一掩膜版为掩膜，刻蚀所述堆叠结构第一厚度，在所述堆叠结构中形成第一通道孔；以所述第一掩膜版为掩膜，刻蚀所述堆叠结构第二厚度，在所述堆叠结构中形成第二通道孔，所述第二通道孔与所述第一通道孔相连通；其中，所述堆叠结构的通道孔包括所述第一通道孔和所述第二通道孔，所述第一通道孔和所述第二通道孔在不同的刻蚀步骤中形成，以通过多次刻蚀所述堆叠结构，在所述堆叠结构中形成通道孔，从而在不升级刻蚀机台的情况下，满足所述通道孔的高深宽比需求。
本发明授权一种三维存储器的制作方法以及三维存储器在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括： 提供一衬底； 在所述衬底上形成堆叠结构； 在所述堆叠结构背离所述衬底一侧形成第一掩膜版； 以所述第一掩膜版为掩膜，刻蚀所述堆叠结构第一厚度，在所述堆叠结构中形成第一通道孔； 形成覆盖所述第一掩膜版表面以及填充所述第一通道孔的第一填充层，去除所述第一填充层位于所述第一掩膜版表面的部分，形成仅填充所述第一通道孔的第一填充层； 在所述第一填充层和所述第一掩膜版表面形成第二掩膜层，再对所述第二掩膜层进行刻蚀后，在所述第一掩膜版表面形成第二掩膜版； 去除填充位于所述第一通道孔中的所述第一填充层； 以所述第一掩膜版和所述第二掩膜版组成的掩膜版结构为掩膜，刻蚀所述堆叠结构第二厚度，在所述堆叠结构中形成第二通道孔，所述第二通道孔与所述第一通道孔相连通； 其中，所述堆叠结构的所述通道孔包括所述第一通道孔和所述第二通道孔。
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