格芯新加坡私人有限公司K·黄获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯新加坡私人有限公司申请的专利具有改善的接通电压的静电放电(ESD)器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241269B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210435186.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权具有改善的接通电压的静电放电(ESD)器件是由K·黄;R·库马尔;R·J·小戈捷设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有改善的接通电压的静电放电(ESD)器件在说明书摘要公布了：本发明涉及具有改善的接通电压的静电放电ESD器件。本公开涉及半导体结构，更具体地涉及静电放电ESD器件及制造方法。该结构包括双极型晶体管器件，该双极型晶体管器件包括具有位于第一导电类型的第一阱中的基极接触区的基极区、具有位于第二导电类型的第二阱中的集电极接触区的集电极区，以及具有位于基极接触区和第二阱之间的第一阱中的发射极接触区的发射极区；以及第二导电类型的反型掺杂电阻阱，该反型掺杂电阻阱位于基极接触区和发射极接触区之间的第一导电类型的第一阱中并且被构造为降低双极型晶体管器件的接通电压。
本发明授权具有改善的接通电压的静电放电(ESD)器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 双极型晶体管器件，其包括： 基极区，其包括位于第一导电类型的第一阱中的基极接触区； 集电极区，其包括位于第二导电类型的第二阱中的集电极接触区；以及 发射极区，其包括位于所述基极接触区和所述第二阱之间的所述第一阱中的发射极接触区；以及 所述第二导电类型的反型掺杂电阻阱，其位于所述基极接触区和所述发射极接触区之间的所述第一导电类型的所述第一阱中，并且被构造为降低所述双极型晶体管器件的接通电压，其中所述反型掺杂电阻阱与所述发射极区分离。
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