联华电子股份有限公司赖冠颖获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利形成半导体元件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332248B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110509390.5，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权形成半导体元件的方法是由赖冠颖;谢昕佑;王长茂;邱崇益设计研发完成，并于2021-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成半导体元件的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种形成半导体元件的方法，包括：提供一基底，具有一第一元件区域和一第二元件区域；沉积一金属氮化物阻障层，覆盖所述第一元件区域和所述第二元件区域；沉积一钛层，在所述金属氮化物阻障层上；从所述第二元件区域中选择性地去除所述钛层，从而显露出所述第二元件区域中的所述金属氮化物阻障层；以及将所述第一元件区域中的所述钛层转变为一氮化钛层，其中，所述氮化钛层是所述第一元件区域中的一功函数层。
本发明授权形成半导体元件的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体元件的方法，包括： 提供基底，具有第一元件区域和第二元件区域； 在所述基底上形成介电层； 在所述介电层中形成沟槽，所述沟槽的一部分位于所述第一元件区域，所述沟槽的另一部分位于所述第二元件区域； 沉积金属氮化物阻障层，覆盖所述第一元件区域和所述第二元件区域，其中所述金属氮化物阻障层顺形地覆盖所述介电层和所述沟槽的内表面； 在所述金属氮化物阻障层上顺形地沉积钛层； 从所述第二元件区域中选择性地去除所述钛层，从而显露出所述第二元件区域中的所述金属氮化物阻障层；以及 将所述第一元件区域中的所述钛层转变为一氮化钛层，其中，所述氮化钛层是所述第一元件区域中的一功函数层。
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