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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种纵向GaN HEMT功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332335B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211033012.5，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种纵向GaN HEMT功率器件是由李泽宏;叶钰麒;赵一尚;任敏设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种纵向GaN HEMT功率器件在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，具体为一种纵向结构的GaNHEMT功率器件，包括AlN成核层、重掺杂AlGaN或GaN缓冲层、轻掺杂GaN沟道层、AlGaN势垒层、肖特基接触栅极、Mg掺杂的P‑GaN盖帽层、金属化漏极、GaN电流沉降层、SiO2隔离层、源级场板、P型掺杂Si衬底、金属化源极；本发明通过AlGaN势垒层和GaN沟道层产生的高浓度的二维电子气，通过GaN电流沉降层将电流转为纵向，同时金属源级场板能够有效的优化表面电场、降低电流塌陷的问题提升可靠性。改变了传统横向的GaN受制于电流塌陷等问题。其兼具低导通电阻、高可靠性、高电流密度以及大电流能力等优点。

本发明授权一种纵向GaN HEMT功率器件在权利要求书中公布了：1.一种纵向GaNHEMT功率器件，其特征在于：包括AlN成核层1、位于AlN成核层1上的重掺杂AlGaN或GaN缓冲层2、位于所述重掺杂AlGaN或GaN缓冲层2上的轻掺杂GaN沟道层3、位于所述轻掺杂GaN沟道层3上的AlGaN势垒层4； 还包括位于所述AlN成核层1、重掺杂AlGaN或GaN缓冲层2、轻掺杂GaN沟道层3侧面的GaN电流沉降层8，位于所述GaN电流沉降层8上的源极场板10，源极场板10延伸至Si3N4钝化层9上方、以及Si3N4钝化层9和金属化漏极7之间的AlGaN势垒层4上方，位于所述GaN电流沉降层8下方的金属化源极12，位于所述金属化源极12和AlN成核层1之间的P型掺杂Si衬底11； 还包括位于所述AlGaN势垒层4上的Mg掺杂的P-GaN盖帽层6；位于所述Mg掺杂的P-GaN盖帽层6上的肖特基接触栅极5；位于肖特基接触栅极5和金属化漏极7之间且AlGaN势垒层4之上的Si3N4钝化层9；所述金属化漏极7和轻掺杂GaN沟道层3形成欧姆接触。

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