河北大学陈剑辉获国家专利权
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龙图腾网获悉河北大学申请的专利一种用于硅纳米阵列的渗透钝化方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115528139B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211204030.5,技术领域涉及:H10F71/00;该发明授权一种用于硅纳米阵列的渗透钝化方法是由陈剑辉;周欣;陈兵兵;张旭宁;郭建新;闫小兵;高青;王淑芳;傅广生设计研发完成,并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于硅纳米阵列的渗透钝化方法在说明书摘要公布了:本发明涉及硅纳米阵列技术领域,提出了一种用于硅纳米阵列的渗透钝化方法,包括以下步骤:将钝化溶液滴到硅纳米阵列表面,静置至渗透,完成钝化。通过上述技术方案,1解决了硅纳米阵列的钝化难题,有效、高质量的钝化物理刻蚀、化学刻蚀制备的硅纳米阵列,消除现有钝化方案所需的大型真空设备,简化工艺、降低成本、提高安全性;2渗透钝化硅纳米阵列,使得硅纳米阵列同时具备低反射损失以及低复合损失功能,满足逆俄歇反常光伏效应即一个光子产生两对电子‑空穴对的两个必要条件,使得外量子效率大于100%,有望突破单结晶体硅电池效率的SQ理论极限,获得更高的电池光电转换效率。
本发明授权一种用于硅纳米阵列的渗透钝化方法在权利要求书中公布了:1.一种用于硅纳米阵列的渗透钝化方法,其特征在于,包括以下步骤:钝化溶液滴到硅纳米阵列表面,静置至渗透,完成钝化; 完成钝化后,还包括通过旋涂法、刮涂法制备成薄膜的步骤; 所述钝化溶液由全氟磺酸与溶剂混合制备得到; 当硅纳米阵列的长度为10-1000nm,钝化溶液的质量浓度为0.3%-6.0%。
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