北京北方华创微电子装备有限公司郑浩田获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利衬底沟槽刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115547825B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211201417.5，技术领域涉及：H10P50/00；该发明授权衬底沟槽刻蚀方法是由郑浩田;蒋中伟设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本衬底沟槽刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种衬底沟槽刻蚀方法，包括：在衬底表面形成侧壁倾斜的凹槽；在凹槽的内表面形成保护层；去除凹槽中央区域的保护层，并保留凹槽边缘倾斜侧壁上的保护层；刻蚀衬底，在衬底中形成设定深度的沟槽，同时去除凹槽边缘倾斜侧壁上的保护层并在沟槽顶部边缘形成圆化顶角形貌。本发明能够获得理想的圆化硅顶角形貌，减轻后续介质填充后由于尖锐顶角造成的漏电风险。
本发明授权衬底沟槽刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种衬底沟槽刻蚀方法，其特征在于，包括： 在衬底表面形成侧壁倾斜的凹槽，所述衬底包括从下至上依次分布的单晶硅层、硬掩膜层、无定型碳层和图案化光刻胶层，在衬底表面形成侧壁倾斜的凹槽包括：利用第一刻蚀气体在所述无定型碳层和所述硬掩膜层中刻蚀出暴露所述单晶硅层表面的开口；利用第二刻蚀气体在所述开口暴露的所述单晶硅层的表面刻蚀出侧壁倾斜的凹槽； 在所述凹槽的内表面形成保护层，包括：利用第三刻蚀气体刻蚀所述衬底，去除所述无定型碳层，并将所述凹槽内表面的单晶硅氧化为氧化硅，形成所述保护层； 去除所述凹槽中央区域的所述保护层，并保留所述凹槽边缘倾斜侧壁上的所述保护层； 刻蚀所述衬底，在所述衬底中形成设定深度的沟槽，同时去除所述凹槽边缘倾斜侧壁上的所述保护层并在所述沟槽顶部边缘形成圆化顶角形貌；刻蚀所述衬底过程中，所述凹槽边缘倾斜侧壁上的所述保护层充当等效的掩膜，用于使所述沟槽顶部边缘部分的单晶硅刻蚀滞后于中间部分的单晶硅刻蚀。
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