中南大学童汇获国家专利权
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龙图腾网获悉中南大学申请的专利一种表面修饰改性的富锂锰基正极材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115548290B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211139026.5，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种表面修饰改性的富锂锰基正极材料及其制备方法是由童汇;季勇;何海梅;喻万景;郭学益设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种表面修饰改性的富锂锰基正极材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种表面修饰改性的富锂锰基正极材料，其结构由内至外依次为富锂锰基正极材料、富含氧空位的尖晶石结构层和快离子导体包覆层，所述尖晶石结构层原位生成于所述富锂锰基正极材料表面，所述快离子导体包覆层包覆于所述尖晶石结构层表面。本发明还提供上述表面修饰改性的富锂锰基正极材料的制备方法。本发明能综合提升富锂锰基正极材料的各项电学性能，包括提高材料的首次放电比容量和库仑效率，同时改善其循环稳定性与倍率特性，使其能够满足高功率电子设备如电动汽车的发展要求。
本发明授权一种表面修饰改性的富锂锰基正极材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种表面修饰改性的富锂锰基正极材料的制备方法，其特征在于，所述表面修饰改性的富锂锰基正极材料由内至外依次为富锂锰基正极材料、富含氧空位的尖晶石结构层和快离子导体包覆层，所述尖晶石结构层原位生成于所述富锂锰基正极材料表面，所述快离子导体包覆层包覆于所述尖晶石结构层表面，所述快离子导体包覆层由含铌化合物与富锂锰基正极材料表面的残锂反应而得，所述快离子导体包覆层的分子式为LiNbO3； 所述制备方法包括以下步骤： 1将富锂锰基正极材料与铌酸铵草酸盐水合物混合均匀，在惰性气氛下煅烧，然后冷却至室温，经过清洗、烘干，得到预处理的富锂锰基正极材料；煅烧温度为500-800℃，煅烧时间为3-7h，升温速率为1-5℃min； 2将步骤1中得到的预处理的富锂锰基正极材料进行煅烧，冷却至室温，得到表面修饰改性的富锂锰基正极材料；煅烧温度为200-600℃，煅烧时间为2-5h，升温速率为1-5℃min； 所述铌酸铵草酸盐水合物的加入质量为富锂锰基正极材料质量的1-10%。
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