深圳赛意法微电子有限公司刘金龙获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳赛意法微电子有限公司申请的专利芯片打磨方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115592488B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210980506.8，技术领域涉及：B24B7/22；该发明授权芯片打磨方法是由刘金龙;黄彩清;杨胜坤设计研发完成，并于2022-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片打磨方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种芯片打磨方法，步骤为：准备待处理的样本与硬质的承载片，样本包括芯片与框架，芯片连接于框架的正面，承载片具有相对设置的第一表面与第二表面；将框架的背面与承载片的第一表面贴合；至少在芯片的外侧面包覆隔离层，并在隔离层的外侧面包覆增强层，且至少使承载片的第二表面露出；从第二表面开始向芯片打磨，直至芯片剩余设定厚度；去除隔离层，以使样本与增强层分离。样本的背面与承载片的第一表面贴合，二者之间不存在粘接剂，因此样本不会因粘接剂厚度不均而相对承载片歪斜，有助于改善芯片打磨后厚度不均匀的问题。
本发明授权芯片打磨方法在权利要求书中公布了：1.芯片打磨方法，其特征在于，包括以下步骤： 准备待处理的样本与硬质的承载片，所述样本包括芯片与框架，所述芯片连接于所述框架的正面，所述承载片具有相对设置的第一表面与第二表面； 将所述框架的背面与所述承载片的所述第一表面贴合； 至少在所述芯片的外侧面包覆隔离层，并在所述隔离层的外侧面包覆增强层，且至少使所述承载片的所述第二表面露出； 从所述第二表面开始向所述芯片打磨，直至所述芯片剩余设定厚度； 去除所述隔离层，以使所述样本与所述增强层分离。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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